二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。 A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性
当正向电压很小时,二极管的正向电流几乎为零,呈现高电阻;当正向电压超过某一数值后,正向电流迅速增加,这时正向电阻很小。() 此题为判断题(对，错)。
整流二极管加正向电压,起()作用。 A、稳定电压B、导通电流C、其它
PN结在正向电压的作用下()。 A.结电阻减小，电流减小B.结电阻减小，电流增大C.结电阻增大，电流增大D.结电阻很大，只有很小漏电流
二极管加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于截止状态。() 此题为判断题(对，错)。
在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200VB.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200VC.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200VD.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
当给二极管加正向电压时，有电流通过二极管。称为二极管的（）。
当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。
已知一只二极管的正向压降为0.7V，通过它的电流为50mA，此情况下，二极管的正向电阻为（）Ω
半导体二极管加正向电压时，有（）特性。A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
稳压二极管工作时，外加电压及动态电阻为（）A、正向电压，动态电阻很小B、反向电压，动态电阻很小C、正向电压，动态电阻较大D、反向电压，动态电阻很大
二极管的主要参数是（）。A、最大反向电阻B、最大整流电流IFMC、最大反向工作电压URM D、最大正向电阻E、最大反向电流IRM
当二极管外加电压时，反向电流很小，且不随（）变化。A、正向电流B、正向电压C、电压D、反向电压
半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大，电阻小B、电流大，电阻大C、电流小，电阻小D、电流小，电阻大
在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压
发光二极管在正向电压（）某一值时，电流极小，不发光；当电压（）某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
二极管的主要特性是（），也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小。
当正向电压很小时，二极管的正向电流几乎为零，呈现（）电阻。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
半导体二极管加正向电压时，有（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C、电流小电阻小D、电流小电阻大
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管的基本特性是（），其反向电阻比正向电阻值（）。当二极管两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而（）。
光敏二极管的工作电流与（）成正比.A、导通电阻B、光照度C、正向电压D、反向电压
硅整流二极管在正向电压的作用下，电流由（）流通。A、负极向正极B、正极向负极C、相互流动D、反向电
单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管，一般情况下是通过测量（）来判断的。A正向电阻B正向电流C反向电阻D正向导通电压
单选题半导体二极管加正向电压时，（）A电流大，电阻小B电流大，电阻大C电流小，电阻小D电流小，电阻大