二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿
用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP
二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿
当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管（）。A、两个PN结均击穿B、两个PN结均开路C、发射结击穿，集电结正常D、发射结正常，集电结击穿
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
二极管的齐纳击穿会烧坏PN结，而雪崩击穿不会烧坏PN结。
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
PN结反向电压的数值增加，小于击穿电压时，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
齐纳击穿时的击穿电压约（）V，当反向击穿电压（）时，为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数，而雪崩击穿具有（）电压温度系数。
当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时，主要发生何种击穿（）A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿
PN结不具备（）。A、单向导电性B、反向击穿性C、电容效应D、电压放大作用
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
填空题PN结的击穿有三种机理，它们分别是（）、（）和（）。
问答题什么是PN结的击穿现象，击穿有哪两种。击穿是否意味着PN结坏了？为什么？
填空题根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（）和隧道击穿这两种电击穿。