13、由于NAND型Flash容量较大，所有与DRAM相似，NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。
13、由于NAND型Flash容量较大，所有与DRAM相似，NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。
参考答案和解析
错误
相关考题：
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(13)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(49)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中错误的是（）。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的，通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片，能访问的存储单元数目是A．29个B．(29+29)个C．(29×29)个D．(9×9)个
嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
关于分时复用的总线，说法不正确的是（）。A、采用分时复用的地址数据总线可以有效减少芯片的引脚数B、分时复用的地址数据总线上的地址信号必须锁存C、为使用分时复用的地址数据总线，CPU必须提供ALE信号D、8086中只有分时复用的地址数据总线
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
8086微处理器的AD0～AD15使用了分时复用技术，这种分时复用是指它们：（）A、既可以是地址线，也可以是控制线B、既可以是数据线，也可以是控制线C、在同一时刻既作为数据线使用也作为地址线使用D、在不同时刻分别作为数据线和地址线使用
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）ANOR的读速度比NAND稍慢一些BNAND的写入速度比NOR慢很多CNAND的擦除速度远比NOR的慢D大多数写入操作需要先进行擦除操作
单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
单选题某型NAND Flash芯片的地址线和数据线是复用的，它具有的部分引脚为ALE、CE、RE、R/B，如果下面每一个选项是用于简述这些引脚的功能的，其中完全正确的是（）A低电平有效的芯片使能、命令锁存允许、准备就绪/忙输出、读使能/写使能B命令锁存允许、低电平有效的写保护、低电平有效的芯片使能、地址锁存允许C地址锁存允许、低电平有效的芯片使能、低电平有效的读使能、准备就绪/忙输出D准备就绪/忙输出、低电平有效的读使能、低电平有效的写使能、命令锁存允许