13、由于NAND型Flash容量较大,所有与DRAM相似,NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。

13、由于NAND型Flash容量较大,所有与DRAM相似,NAND型地址线也采用了地址的分时复用策略。


参考答案和解析
错误

相关考题:

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(13)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是______。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A.B.C.D.

进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(49)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作

下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器

8086采用了地址线与数据线分时复用方式,与此方式有关的控制信号( )。A.DENB.ALEC.DT/RD.HLDA

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是:()。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

简述NAND_FLASH和NOR_FLASH的异同点?

DRAM中的存储单元是以矩阵形式组织的,通过行地址和列地址经译码后访问矩阵中的某个存储单元。一个有9根地址线、行地址与列地址复用的DRAM芯片,能访问的存储单元数目是A.29个B.(29+29)个C.(29×29)个D.(9×9)个

Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少() A.1GBB.8GBC.4GBD.2GB

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器

下列哪些是混合硬盘的特点?()A、闪存模块直接整合到硬盘B、具有8GB-16GB等较大SLC闪存C、通常使用的闪存是NAND闪存D、内置NAND容量不可见

NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作

固态硬盘SSD的存储介质包括()A、磁介质盘片B、磁带介质C、DRAMD、NAND型Flash颗粒

混合硬盘的NAND闪存容量是可见的

说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?

关于分时复用的总线,说法不正确的是()。A、采用分时复用的地址数据总线可以有效减少芯片的引脚数B、分时复用的地址数据总线上的地址信号必须锁存C、为使用分时复用的地址数据总线,CPU必须提供ALE信号D、8086中只有分时复用的地址数据总线

NAND型闪存的基本存储单元是()。A、MBB、PageC、BitD、Byte

Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。

简述S3C2410A NAND Flash控制器的基本特性。

简述NOR Flash与NAND Flash的区别。

下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

8086微处理器的AD0~AD15使用了分时复用技术,这种分时复用是指它们:()A、既可以是地址线,也可以是控制线B、既可以是数据线,也可以是控制线C、在同一时刻既作为数据线使用也作为地址线使用D、在不同时刻分别作为数据线和地址线使用

Gen8服务器采用了iLO4芯片,其NAND flash容量大小为多少()A、1GBB、8GBC、4GBD、2GB

问答题说明NOR FLASH与NAND FLASH的主要区别,使用时应如何选用?

单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。()ANOR的读速度比NAND稍慢一些BNAND的写入速度比NOR慢很多CNAND的擦除速度远比NOR的慢D大多数写入操作需要先进行擦除操作

单选题下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中,错误的是()。ANOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术BNAND Flash以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命等方面有较大优势CNOR Flash写入和擦除速度较慢D数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash

判断题Nand Flash比Nor Flash成本高,可靠性差。A对B错

单选题某型NAND Flash芯片的地址线和数据线是复用的,它具有的部分引脚为ALE、CE、RE、R/B,如果下面每一个选项是用于简述这些引脚的功能的,其中完全正确的是()A低电平有效的芯片使能、命令锁存允许、准备就绪/忙输出、读使能/写使能B命令锁存允许、低电平有效的写保护、低电平有效的芯片使能、地址锁存允许C地址锁存允许、低电平有效的芯片使能、低电平有效的读使能、准备就绪/忙输出D准备就绪/忙输出、低电平有效的读使能、低电平有效的写使能、命令锁存允许