一维无限深势阱中的粒子可以处于不同能态，当势阱宽度缓慢减小时，则A．相邻能级的能量差增加B．每个能级的能量减小C．能级数目增加D．每个能级的能量保持不变

一维无限深势阱中的粒子可以处于不同能态，当势阱宽度缓慢减小时，则

A．相邻能级的能量差增加

B．每个能级的能量减小

C．能级数目增加

D．每个能级的能量保持不变

参考答案和解析
对

相关考题：

共轭梯度法计算简单,收敛慢,易陷入局部势阱。() 此题为判断题(对，错)。
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辐射能作用于粒子（原子、分子或离子）后，粒子选择性地吸收某些频率的辐射能，并从低能态（基态）跃迁至高能态（激发态），这种现象称为A、折射B、发射C、吸收D、散射E、透射
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楣同地基上的基础，当宽度相同时，则埋深愈深地基的承载力( )。A.愈大B.愈小C.与埋深无关D.按不同土的类别而定
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质量越大的恒星越靠近星团中心，质量越小的恒星越靠近外围，叫做（）A、潮汐力场B、引力势阱C、质量层化D、离心力场
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辐射能作用于粒子（原子、分子或离子）后，粒子选择性地吸收某些频率的辐射能，并从低能态（基态）跃迁至高能态（激发态），这种现象称为（）。A、折射B、发射C、吸收D、散射
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经典粒子的零点能标度选择不同时，必定影响（）A、配分函数的值；B、粒子的分布规律；C、体系的微观状态数；D、某些热力学函数的值；E、各个量子态上粒子的分布数.
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下列叙述中，不具可逆过程特征的是：（）A、过程的每一步都接近平衡态，故进行得无限缓慢B、沿原途径反向进行时，每一小步系统与环境均能复原C、过程的初态与终态必定相同D、过程中，若做功则做最大功，若耗功则耗最小功
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当物质中处于高能级上的粒子数大于处于低能级上的粒子数时，则物质处于（）状态。A、全反射B、粒子数反转C、受激吸收D、自发辐射
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CCD的光电转换部分的半导体材料在正电压的作用下，可以形成所谓“势阱”。“势阱”的作用是专门用来（）自由电子。A、产生B、抵消C、转移D、存放
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CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。A、CCD的电极面积B、时钟脉冲的驱动方式C、电压电平D、CCD的材料
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物质粒子存在不连续的能态，各能态具有（）。当粒子的状态发生变化时，该粒子将吸收或发射完全等于两个能级之间的（），反之亦是成立的。
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相同地基土上的基础，当宽度相同时，则埋深越大，地基的承载力（）A、越大B、越小C、与埋深无关D、按不同土的类别而定
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一宽度为a的一维无限深势阱，试用不确定关系估算阱中质量为m的粒子最低能量为多少？
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由量子力学可知，在一维无限深方势阱中的粒子可以有若干能态.粒子处于不同能级处，相邻能级之间的间隔（）A、随主量子数n的增大而增大B、随主量子数n的增大而减小C、与主量子数n2成正比D、保持不变
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在一定温度下，处于不同能态的原子数目的比值遵循（）定律。
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填空题为使电荷包实现定向转移，需要控制好相邻栅极上的（），从而调节其下对应势阱的深浅，电压的绝对值越大，势阱就越（），电荷包总是从较浅势阱流向深势阱。
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单选题质量越大的恒星越靠近星团中心，质量越小的恒星越靠近外围，叫做（）A潮汐力场B引力势阱C质量层化D离心力场
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填空题物质粒子存在不连续的能态，各能态具有（）。当粒子的状态发生变化时，该粒子将吸收或发射完全等于两个能级之间的（），反之亦是成立的。
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单选题如果把一个微观探针尖端朝下立在一个势阱里，根据量子力学下列哪种情况可能发生？（）A该探针会围绕平衡位置做简谐振动B该探针会稳定在平衡位置C该探针会处在存在和不存在的叠加态D该探针会消失
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单选题当物质中处于高能级上的粒子数大于处于低能级上的粒子数时，则物质处于（）状态。A全反射B粒子数反转C受激吸收D自发辐射
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判断题在一维无限深势阱中粒子运动的能量的最小值为零。A对B错
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单选题以下哪一项关于粒子反转的描述是错误的：（）A粒子数反转，指的就是高能态的粒子数多于低能态的粒子数的状态B光、电、化学方法均可以产生粒子反转C没有粒子反转也可以产生某些激光D当要实现粒子数反转，就得给粒子体系增加一种外界的作用，这个过程叫泵浦E处于高能级被反转上去的粒子很不稳定
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单选题泡利不相容原理说（）A自旋为整数的粒子不能处于同一量子态中B自旋为整数的粒子能处于同一量子态中C自旋为半整数的粒子能处于同一量子态中D自旋为半整数的粒子不能处于同一量子态中
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填空题在一定温度下，处于不同能态的原子数目的比值遵循（）定律。
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单选题辐射能作用于粒子（原子、分子或离子）后，粒子选择性地吸收某些频率的辐射能，并从低能态（基态）跃迁至高能态（激发态），这种现象称为（）。A折射B发射C吸收D散射E透射
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单选题相同地基土上的基础，当宽度相同时，则埋深越大，地基的承载力（）A越大B越小C与埋深无关D按不同土的类别而定
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单选题在以下各种说法中，正确的是（）A虽然CCD是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去；B不但CCD是通过P-N结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去；C光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出去；D光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放掉。
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