就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
PN结反向偏置时,处于导通状态,呈低电阻,正向电流大。() 此题为判断题(对，错)。
晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置
PN结具有单向导电性,加正向电压截止,加反向电压导电。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
三极管处于截止状态时( )。 A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结反向偏置C.发射结正向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置
PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
PN结的单向导电性指的是 PN结()偏置时导通,()偏置时截止的特性 。
晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结正向偏置，集电结正向偏置C、发射结反向偏置，集电结反向偏置D、发射结反向偏置，集电结正向偏置
晶体三极管工作在截止状态时的特点是()。 A.发射结反向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.结和集电结都处于反向偏置D.结和集电结都处于正向偏置发射
PN结的基本性质是单向导电性，即外加正向电压时呈低阻性，它导通，外加反向电压时呈高阻性，它截止。此题为判断题(对，错)。
PN结具有（）单向导电性特性，即（）导通，（）截止。A、选择，低压，高压B、选择，高压，低压C、单向，反向，正向D、单向，正向，反向
三极管处于截止状态时，有（）关系存在。A、发射结反向偏置B、发射结正向偏置C、集电极反向偏置D、集电结反向偏置E、基极反向偏置
开关二极管加正向偏置电压时导通，正向电阻很小，加反向偏置电压时截止，反向电阻很大。（）
开关二极管加正向偏置电压导通，加反向偏置电压截止。
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
三极管饱和导通状态是指三极管（）。A、发射结、集电结均处于正向偏置B、发射结、集电结均处于反向偏置C、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置D、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置
三极管截止状态是指三极管（）。A、发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置B、发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置C、发射结、集电结均处于反向偏置D、发射结、集电结均处于正向偏置
开关二极管和普通二极管的导电特性相同，即加正向偏置电压导通，正向电阻很小；加反向偏置电压截止，（）电阻很大。A、正向B、同步C、反向D、同向
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态
PN结具有（）性，（）偏置时导通，（）偏置时截止。
正确的晶闸管特性是（）。A、具有单向导电性B、正向偏置时导通C、只有控制极才能使其关断D、反向偏置时关断E、正向偏置电压为零自动关断
与反向偏置相比，正向偏置时PN结的宽度（）、（）等效电阻。
半导体稳压管的稳压作用是利用（）A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的
当晶体三极管作为开关元件，在导通的状态下，其内部有（）关系成立。A、发射结处于反向偏置B、基电结处于正向偏置C、发射结处于正向偏置D、集电结处于正向偏置E、集电结处于反向偏置
PN结的基本性质是单向导电性，即外加正向电压时呈低阻性，它导通，外加反向电压时呈高阻性，它截止。
PN结具有单向导电性，当P区接电源的正极，N区接电源的负极，叫做（）。A、正向偏置B、反向偏置C、对中D、非偏置