BJT工作在放大区的工作条件是:()。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
对图所示的固定偏置电路，以下说法正确的是（ ）。A．发射结正偏，集电结反偏，电路对正弦交流信号有放大作用B．发射结反偏，集电结正偏，电路没有放大作用C．发射结、集电结均处正偏，电路没有放大作用D．发射结、集电结均处反偏，电路没有放大作用
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应使晶体管满足什么？( )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏D.发射结、集电结均正偏
无论采用哪种连接方式，也无论是采用NPN型三极管还是PNP型三极管，要使三极管具有放大作用，都必须保证（）。A.发射结正偏、集电结反偏B.发射结反偏、集电结正偏C.发射结反偏、集电结反偏D.发射结正偏、集电结正偏
双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
三极管放大区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏。
PNP管放大电路中，UCC的极性为负，则该管的发射结反偏、集电结正偏。
半导体三极管的放大条件是（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏
三极管工作在放大状态时，发射结和集电结的偏置应为（）。A、发射结零偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
晶体三极管要处于放大状态必须满足（）。A、发射结集电结构正偏B、发射结集电结均反偏C、发射结正偏集电结反偏D、发射结及偏集电结正偏
三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
三极管起放大作用的外部条件是（）。A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结正偏
对三极管部电路有如下要求：（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结正偏，集电结反偏
NPN型三极管在共射极电路中，如果三极管工作在放大区，则应是（）。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管处于放大状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A、发射结和集电结都处于正偏B、发射结处于正偏，集电结处于反偏C、发射结处于反偏，集电结处于正偏D、发射结和集电结都处于反偏
晶体管能够放大的外部条件是（）。A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结反偏D、发射结正偏，集电结反偏
工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）A、发射结反偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结正偏
工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结、集电结均反偏D、发射结、集电结均正偏
三极管工作于放大状态的条件是（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
晶体三极管用于放大时，应使其发射结、集电结处于（）A、发射结正偏、集电结反偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结反偏、集电结正偏D、.发射结反偏、集电结反偏
晶体三极管要处于放大状态，必须满足（）。A、发射结、集电结均正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
单选题工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结反偏，集电结正偏C发射结、集电结均反偏D发射结、集电结均正偏
单选题处于截止状态的晶体管，其工作状态为（）。A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
单选题半导体三极管的放大条件是（）。A发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏，集电结正偏D发射结反偏，集电结反偏
单选题对三极管部电路有如下要求：（）A发射结正偏，集电结正偏B发射结反偏，集电结反偏C发射结正偏，集电结反偏