电容单位有()。 A.法拉（F）B.微法拉（uF）C.皮法拉
测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的A、氟化钠单晶片B、氟化镧单晶片C、氟化硼单晶片D、氟化锗单晶片E、氟化钾晶体片
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
为了制成单晶及更纯的硅,通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺(CZ法)。 A．错误B．正确
1954年美国（ ）首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，诞生了将太阳光能转换为电能的实用光伏发电技术。A.波尔实验室B.贝尔实验室C.法拉第实验室D.福特实验室
电容单位有（）。A、法拉（F）B、微法拉（uF）C、皮法拉
下列不全部属于电容单位的是（）A、mF、μF、nFB、F、mF、hFC、法拉、纳法、微微法D、法拉、毫法、微法
法拉第主要的贡献是（）A、发明阴极棒B、法拉第效应C、法拉第感应定律D、法拉第波动
1954年美国（）首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，诞生了将太阳光能转换为电能的实用光伏发电技术。A、波尔实验室B、贝尔实验室C、法拉第实验室D、福特实验室
聚乙烯的单晶片的形状通常是菱形或截顶菱形的，而聚甲醛单晶片的形状通常是（）的。
某探头晶片材料标识为Q，它的材料是（）A、锆钛酸铅陶瓷B、碘酸锂单晶C、石英单晶D、铌酸锂单晶
工业中单晶硅的制备方法主要有（）和区熔法（FZ法）
下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
拉伸单晶体时，滑移面转向（）时最容易滑移。A、与外力成45度B、与外力轴平行C、与外力轴垂直D、不需要外力，自己动
为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。
问答题何谓单晶体和多晶体，为什么单晶体具有各向异性，而多晶体往往没有各向异性？
问答题比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点？
单选题法拉第主要的贡献是（）A发明阴极棒B法拉第效应C法拉第感应定律D法拉第波动
判断题为了制成单晶及更纯的硅，通常可以采用丘克拉斯基凝固工艺（CZ法）。A对B错
填空题聚乙烯的单晶片的形状通常是菱形或截顶菱形的，而聚甲醛单晶片的形状通常是（）的。
填空题硅单晶的（）是一个重要的基本电学参数。根据单晶制备时所参杂的元素，它们是三价的还是五价的，可以将单晶化分为P型和N型两大类。
填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A对B错