关于隧道击穿(齐纳击穿)的说法正确的是:A.发生隧道击穿时,大量电子从价带穿过禁带进入导带。B.隧道宽度越大,发生隧穿的概率越大。C.势垒区中的电场越小,越容易发生隧穿。D.杂质浓度较低时,降低反向偏压,也可以发生隧穿。

关于隧道击穿(齐纳击穿)的说法正确的是:

A.发生隧道击穿时,大量电子从价带穿过禁带进入导带。

B.隧道宽度越大,发生隧穿的概率越大。

C.势垒区中的电场越小,越容易发生隧穿。

D.杂质浓度较低时,降低反向偏压,也可以发生隧穿。


参考答案和解析
发生隧道击穿时,大量电子从价带穿过禁带进入导带。

相关考题:

二极管的击穿分两种,分别是()。 A、正向击穿B、反向击穿C、雪崩击穿D、齐纳击穿

下列说法正确的是()。A、在电场的作用下,由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B、击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C、发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D、以上说法都正确

二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A.雪崩、齐纳B.虚、实C.电压、电流D.PN、NP

二极管因所加过高反向电压而击穿、烧毁的现象称为()。 A、齐纳击穿B、雪崩击穿C、热击穿

当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿

当绝缘体受潮或受到过高的温度、过高的电压时,可能完全失去绝缘能力而导电,称为绝缘击穿或绝缘破坏。下列关于绝缘击穿的说法中,正确的是( )。A.气体击穿是碰撞电离导致的电击穿,击穿后绝缘性能不可恢复B.液体绝缘的击穿特性与其纯净度有关,纯净液体击穿也是电击穿,密度越大越难击穿C.液体绝缘击穿后,绝缘性能能够很快完全恢复D.固体绝缘击穿后只能在一定程度上恢复其绝缘性能

当绝缘体受潮或受到过高的温度、过高的电压时,可能完全失去绝缘能力而导电,称为绝缘击穿或绝缘破坏。下列关于绝缘击穿的说法中,正确的是( )。A.气体击穿是碰撞电离导致的电击穿,击穿后绝缘能够很快恢复B.液体绝缘的击穿特性与其纯净度有关,密度越大击穿越容易C.液体绝缘击穿后,绝缘性能能够很快完全恢复D.固体绝缘击穿后只能在一定程度上恢复其绝缘性能

绝缘材料的性能决定了该材料被击穿的可能性。下列关于绝缘材料性能和绝缘材料击穿特性的说法中,不正确的有()。A.介电常数是表明绝缘极化特征的性能参数,介电常数越大,材料的极化过程越慢B.材料的耐弧性能是热性能的一项重要指标,一般无机物的耐弧性能要大于有机物C.固体击穿有电击穿、热击穿、电化学击穿等,电击穿作用时间短、击穿电压高,热击穿电压作用时间长,电压较低D.气体击穿是碰撞电离导致的电击穿,击穿后绝缘性能将无法恢复E.液体被击穿后,绝缘性能将完全无法恢复

关于气体、液体、固体击穿下列说法正确的是( )。A.气体击穿是由碰撞电离产生的B.液体击穿和纯净度有关C.固体电击穿,击穿电压高,时间短D.固体热击穿,击穿电压高,时间长E.固体放电击穿,击穿电压低,击穿时间长

(2018)良好的绝缘是保证电气设备和线路正常运行的必要条件,绝缘材料上的电场强度高于临界值时,绝缘材料发生破裂或分解,电流急剧增加,完全失去绝缘性能,导致绝缘击穿。关于绝缘击穿的说法,正确的是( )。A.气体绝缘击穿后绝缘性能会很快恢复B.液体绝缘的击穿特性与其纯净度无关C.固体绝缘的电击穿时间较长、击穿电压较低 D.固体绝缘的热击穿时间较短、击穿电压较高

下列关于绝缘击穿的说法,正确的是( )。A.气体绝缘击穿后绝缘性能会很快恢复B.液体绝缘的击穿特性与其纯净度无关C.固体绝缘的电击穿时间较长、击穿电压较低D.固体绝缘的热击穿时间较短、击穿电压较高

下列关于绝缘材料的说法中,正确的是()A.气体绝缘击穿是由碰撞电离导致的电击穿。气体击穿后绝缘性能会慢慢恢复B.气体的平均击穿场强随着电场不均匀程度的增加而下降C.液体绝缘的击穿特性与其纯净程度有关。纯净液体的击穿也是由碰撞电离最后导致的电击穿。液体绝缘击穿后,绝缘性能会很快恢复D.固体绝缘击穿后将部分失去原有性能

齐纳击穿

以下关于固体介质击穿描述正确的是()。A、击穿只发生在加压的短时间内B、长时间加压击穿的情况是电击穿C、加压时间越长击穿的电压越低D、电压作用的时间不影响击穿

二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。A、雪崩、齐纳B、虚、实C、电压、电流D、PN、NP

齐纳式安全栅是基于齐纳二极管()性能工作的。A、正向导通B、反向击穿C、反向截止D、正向击穿

二极管的齐纳击穿会烧坏PN结,而雪崩击穿不会烧坏PN结。

关于二次击穿,以下说法正确的是()。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂

齐纳击穿时的击穿电压约()V,当反向击穿电压()时,为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数,而雪崩击穿具有()电压温度系数。

当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿()A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿

齐纳二极管的齐纳电压与二极管的击穿电压相比,齐纳电压()。A、高B、低C、相同D、直流电高,交流电低

齐纳二级稳压管的稳压区是其工作在反向击穿。

名词解释题齐纳击穿

多选题关于气体、液体、固体击穿下列说法正确的是( )。A气体击穿是由碰撞电离产生的B液体击穿和纯净度有关C固体电击穿,击穿电压高,时间短D固体热击穿,击穿电压高,时间长E固体放电击穿,击穿电压低,击穿时间长

单选题良好的绝缘是保证电气设备和线路正常运行的必要条件,绝缘材料上的电场强度高于临界值时,绝缘材料发生破裂或分解,电流急剧增加,完全失去绝缘性能,导致绝缘击穿。关于绝缘击穿的说法,正确的是( )。A气体绝缘击穿后绝缘性能会很快恢复B液体绝缘的击穿特性与其纯净度无关C固体绝缘的电击穿时间较长、击穿电压较低D固体绝缘的热击穿时间较短、击穿电压较高

单选题当绝缘体受潮或受到过高的温度、过高的电压时,可能完全失去绝缘能力而导电,称为绝缘击穿或绝缘破坏。下列关于绝缘击穿的说法中,正确的是()。A气体击穿是碰撞电离导致的电击穿,击穿后绝缘性能不可恢复B液体绝缘的击穿特性与其纯净度有关,纯净液体击穿也是电击穿,密度越大越难击穿C液体绝缘击穿后,绝缘性能能够很快完全恢复D固体绝缘击穿后只能在一定程度上恢复其绝缘性能

填空题根据不同的击穿机理,PN结击穿主要分为()和隧道击穿这两种电击穿。

单选题下列说法正确的是()。A在电场的作用下,由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D以上说法都正确