质子周围的电子云密度越高,屏蔽效应越大,在()的磁场强度处发生核磁共振;反之,屏蔽效应越小,即在()的磁场强度处发生核磁共振。A.较高;较低B.较高;较高C.较低;较低D.较低;较高

质子周围的电子云密度越高,屏蔽效应越大,在()的磁场强度处发生核磁共振;反之,屏蔽效应越小,即在()的磁场强度处发生核磁共振。

A.较高;较低

B.较高;较高

C.较低;较低

D.较低;较高


参考答案和解析
正确

相关考题:

在核磁共振波谱中,偶合常数J与外磁场强度H0无关。() 此题为判断题(对,错)。

使质子化学位移出现在高场的原因是( )。A形成氢键B去屏蔽效应C屏蔽效应D连接了电负性大的基团

磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来,外磁场被磁屏蔽所分路,使透过屏蔽进入测量机构的()。 A.磁场强度大为减弱B.影响降低C.磁场损耗加大D.磁场强度得到增强

A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比

在临床试验设计中,预期结局出现的事件或疾病的发生率越高,样本含量就可以越小,反之就要越大。( )

在EDTA配位滴定中,下列有关EDTA酸效应的叙述,正确的是(  )。 A. 酸效应系数越大,配合物的稳定性越高 B. 酸效应系数越小,配合物越稳定 C. 反应的pH越大,EDTA酸效应系数越大 D. αY(H)的数值越小,表示酸效应引起的副反应越严重

关于影响屏蔽常数σ大小的因素,正确的说法是()A、被屏蔽电子的l值越小,σ值越大;B、屏蔽电子的n值越小,σ值越大;C、被屏蔽电子离核越远,σ值越大;D、屏蔽电子的数目越多,σ值越大;E、n=1的电子所受屏蔽σ=0

乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大,主要原因是()。A、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应,使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙快质子处在去屏蔽区

当建筑物有屏蔽时,在LPZ1区内的磁场强度跟以下哪项有关:()。A、最大雷电流B、雷击点与屏蔽空间之间的平均距离C、屏蔽系数D、接地电阻值

下面原子核发生核磁共振时,如果外磁场强度相同,哪种核将需要最大照射频率?()A、F9B、C6C、H1D、N7

NMR分析中,质子核外电子云密度大的则()。A、屏蔽效应较弱,相对化学位移较大,共振峰出现在高场B、屏蔽效应较强,相对化学位移较小,共振峰出现在高场C、屏蔽效应较强,相对化学位移较大,共振峰出现在低场D、屏蔽效应较强,相对化学位移较大,共振峰出现在高场

在共轭体系中,由于分子内原子之间影响,电子云密度发生平均化,体系能量降低,称为共轭效应。

在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B、屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C、屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D、屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

磁屏蔽结构就是用铁磁材料制成的屏蔽将测量机构包围起来,外磁场被磁屏蔽所分路,使透过屏蔽进入测量机构的()。A、磁场强度大为减弱B、影响降低C、磁场损耗加大D、磁场强度得到增强

对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

影响货币政策调控效应的因素中,当LM曲线斜率越小,会出现什么情况?()A、产出效应越小,挤出效应越大B、产出效应越小,挤出效应越小C、产出效应越大,挤出效应越小D、产出效应越大,挤出效应越大

影响财政政策调控效应的因素中,当IS曲线斜率越大,会出现什么情况?()A、产出效应越小,挤出效应越大B、产出效应越小,挤出效应越小C、产出效应越大,挤出效应越小D、产出效应越大,挤出效应越大

工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A、深度越大,漏磁场强度越高B、深度越小,漏磁场强度越低C、深度越小,漏磁场强度越高D、深度与漏磁场强度无关

在EDTA配位滴定中,下列有关酸效应的叙述正确的是:()A、酸效应系数越大,配合物的稳定性越高B、反应的pH值越大,EDTA的酸效应系数越大C、酸效应系数越小,配合物的稳定性越高D、EDTA的酸效应系数越大,滴定曲线的突跃范围越大

屏蔽阻抗越低,屏蔽电流越小,抵消暂态电压的份额越大。

填空题对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

单选题在核磁共振波谱分析中,当质子核外的电子云密度增加时()A屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在高场出现B屏蔽效应减弱,化学位移值大,峰在高场出现C屏蔽效应增强,化学位移值小,峰在高场出现D屏蔽效应增强,化学位移值大,峰在低场出现

单选题乙烯质子的化学位移值(δ)比乙炔质子的化学位移值大还是小?其原因是()A大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区B大,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区C小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在去屏蔽区,乙炔质子处在屏蔽区D小,因为磁的各向异性效应,使乙烯质子处在屏蔽区,乙炔质子处在去屏蔽区

单选题工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。A深度越大,漏磁场强度越高B深度越小,漏磁场强度越低C深度越小,漏磁场强度越高D深度与漏磁场强度无关

单选题影响货币政策调控效应的因素中,当LM曲线斜率越小,会出现什么情况?()A产出效应越小,挤出效应越大B产出效应越小,挤出效应越小C产出效应越大,挤出效应越小D产出效应越大,挤出效应越大

多选题关于化学位移成像原理的叙述,正确的是(  )。A原子核的共振频率与磁场强度成正比B分子局部化学环境会影响质子的共振频率C围绕原子核旋转的电子云可削弱静磁场的强度D周围电子云薄的原子经受的局部磁场强度高,其共振频率较高E周围电子云厚的原子经受的局部磁场强度低,其共振频率较低

多选题当建筑物有屏蔽时,在LPZ1区内的磁场强度跟以下哪项有关:()。A最大雷电流B雷击点与屏蔽空间之间的平均距离C屏蔽系数D接地电阻值

单选题航速、船型对岸壁效应的影响如下:()A航速越低,岸壁效应越剧烈;方形系数越大,岸壁效应越明显B航速越高,岸壁效应越剧烈;方形系数越大,岸壁效应越明显C航速越低,岸壁效应越剧烈;方形系数越小,岸壁效应越明显D航速越高,岸壁效应越剧烈;方形系数越小,岸壁效应越明显