1、晶闸管内部是（）。A．PNPN四层半导体结构B．一组P型半导体和N型半导体构成的两层半导体结构C．由P型半导体和N型半导体交错构成的三层半导体结构D．PNPNP五层半导体结构

1、晶闸管内部是（）。

A．PNPN四层半导体结构

B．一组P型半导体和N型半导体构成的两层半导体结构

C．由P型半导体和N型半导体交错构成的三层半导体结构

D．PNPNP五层半导体结构

参考答案和解析
B

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RCT是指()。 A.快速晶闸管B.双向晶闸管C.逆导晶闸管D.光控晶闸管
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单向晶闸管内部有()个PN结。 A、1B、2C、3D、4
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单向晶闸管内部是一个四层三端的硅半导体器件。() 此题为判断题(对，错)。
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单向晶闸管内部是一个三层三端的锗半导体器件。() 此题为判断题(对，错)。
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晶闸管的内部结构上有()个PN结。A、1B、2C、3D、以上选项均不正确
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一个晶闸管自行关断的条件是()。 A、门极失去脉冲B、流过晶闸管的电流小于1H
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单相全控桥中，每个导电回路中有2个晶闸管，为了对每个导电回路进行控制，只需1个晶闸管就可以了，另1个晶闸管可以用二极管代替，从而简化整个电路。
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用1只晶闸管作开关管的单相可控桥式整流电路中采用了（）。A、3只二极管和1只晶闸管B、4只二极管和1只晶闸管C、2只二极管、1只稳压管和1只晶闸管D、6只二极管和1只晶闸管
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每个换流阀中必须增加一定数量的晶闸管级。各阀中的冗余晶闸管级数，应不小于12个月运行周期内损坏的晶闸管级数的期望值的2.5倍，也不应少于（）晶闸管级。A、1个；B、1～2个；C、2～3个；D、3～5个。
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晶闸管内部的基本结构是由二个以上的PN结组成的。
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带平衡电抗器的双反星形可控整流电路带电感负载时，任何时刻都有（）同时导通。     A、1个晶闸管B、2个晶闸管同时C、3个晶闸管同时D、4个晶闸管同时
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晶闸管SCR内部共有（）PN结。
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晶闸管的内部结构具有4个PN结
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软启动器内部发热主要来自于晶闸管组件，通常晶闸管散热器的温度要求不高于（）A、120℃B、100℃C、60℃D、75℃
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电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
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可工作于交流电源的晶闸管形式是（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、大功率晶闸管D、功率晶闸管
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逆导晶闸管内部结构有一个晶闸管和一个（），进行反向并联。A、开关管B、二极管C、三极管D、GTO
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晶闸管内部电路中，引出控制极的是（）；A、P1B、P2C、N3D、N4
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晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
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晶闸管是一个四层三端元件，其内部有（）PN结。
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晶闸管是一个四层三端元件元件，其内部有（）PN结。
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判断题普通晶闸管内部有两个PN结。A对B错
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填空题晶闸管的内部结构具有（）端、（）层、（）个PN结。
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单选题可工作于交流电源的晶闸管形式是（）A可关断晶闸管B双向晶闸管C大功率晶闸管D功率晶闸管
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单选题晶闸管内部电路中，引出控制极的是（）；AP1BP2CN3DN4
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填空题晶闸管SCR内部共有（）PN结。
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单选题逆导晶闸管内部结构有一个晶闸管和一个（），进行反向并联。A开关管B二极管C三极管DGTO
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