【单选题】在晶振电路中电容的参数值是()。A.3pFB.30pFC.300pF
【单选题】在晶振电路中电容的参数值是()。
A.3pF
B.30pF
C.300pF
参考答案和解析
B
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典型的干扰传播路径是通过导线的传导和空间的辐射。以下无助于切断干扰传播路径的措施是(60)。A.嵌入式系统电源尽可能采用磁珠和电容组成π形滤波电路B.在嵌入式微处理器的信号输入接口电路加隔离π形滤波电路C.用地线把晶振时钟区隔离起来,并将晶振外壳接地D.嵌入式微处理器和大功率器件要单独接地
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适
下面关于电路功率的叙述,正确的是()。A、在RLC串联电路中,电路的有功功率是电阻消耗的功率B、在RLC串联电路中,电路的有功功率是电容消耗的功率C、在RLC串联电路中,电路的无功功率等于电感和电容上的无功功率之和D、在RLC串联电路中,电路的无功功率等于电感和电容上的无功功率之差E、在RLC串联电路中,电路的有功功率是电阻和电容总共消耗的功率
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是耦合电容和旁路电容的存在。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适
单选题下面有极性的组件为().A电解电容B磁质电容CMPE电容D石英晶振