在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B，相对两侧施加控制电流I，另外两端产生电势差，这种现象称为：A、压电效应B、压阻效应C、霍尔效应D、多普勒效应
若霍尔元件的磁场和电流同时改变方向,霍尔电势的极性将保持不变。() 此题为判断题(对，错)。
有关部分容积效应的叙述中，错误的是（）A、会遗漏小病变B、可产生假像C、改变选层位置可消除此效应D、增加扫描层厚可消除此效应E、对可疑部位边缘作垂直方向扫描可消除此效应
霍尔效应的原因是（）A、电流在磁场中受到洛仑兹力B、霍尔元件在磁场中感生出电动势C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力D、霍尔元件在磁场中受到重力
旁瓣效应可通过调节（）和海面回波抑制加以消除。A、抗干扰开关B、海面抑制C、增益D、调谐
霍尔传感器是根据（）制作的一种磁场传感器。A、光电效应B、霍尔效应C、化学效应D、生物效应
载流导体周围存在着磁场，即电流产生磁场称为电流的磁效应。
导体中有电流通过时，在它周围就会产生磁场，这种现象称为电流的（）。A、热效应B、力效应C、温度效应D、磁效应
置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）A、压电效应B、磁阻效应C、霍尔效应D、光电效应
当在半导体的晶体结构上加以压力，会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电结构，表现为它的电阻率ρ的变化，这一物理现象称为（）A、压电电阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
霍尔效应中，在试样上施加的电场、磁场以及感应出的电压之间的方向关系是（）。
用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。
在霍尔效应实验中，为了消除附加电压的影响，测量霍尔电压时采用的是（）A、伏安法B、对称测量法C、多次测量取平均法D、单一变量法
在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关
当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时，在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压，这个电压叫做霍尔电压。
由于导线中通过电流，周围将有磁场，表明导线存在（）。A、分布电容效应B、分布电感效应C、分布电导效应
霍尔元件产生的霍尔电动势极性与（）有关。A、磁场方向B、控制电流方向C、磁场方向和控制电流方向D、材料
半导体薄片置于磁场中，当有电流流过是，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种现象称为（）。A、压电效应B、压磁效应C、霍尔效应D、电涡流效应
金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为（）。A、电磁感应B、压电效应C、热电效应D、霍尔效应
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？影响霍尔电势的因素有哪些？
霍尔效应是导体中的（）在磁场中受（）作用产生（）的结果。
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
判断题当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时，在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压，这个电压叫做霍尔电压。A对B错
单选题通电导体放在均匀磁场中，在垂直于电场和磁场的方向产生横向电场，这种现象称之为（）。A压电效应B压阻效应C霍尔效应D多普勒效应
多选题霍尔元件的输出电势Vh于下列（）成正比。A垂直于霍尔元件的磁感应强度B输入端电流C电流与磁场方向的夹角余弦D电流通过的时间E电流与磁场方向的夹角余切
单选题有关部分容积效应的叙述中，错误的是（）A会遗漏小病变B可产生假像C改变选层位置可消除此效应D增加扫描层厚可消除此效应E对可疑部位边缘作垂直方向扫描可消除此效应
单选题把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称（）A霍尔效应B压电效应C热电效应D光电效应