霍尔效应是导体中的（）在磁场中受（）作用产生（）的结果。
霍尔效应是导体中的（）在磁场中受（）作用产生（）的结果。
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霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。A、平行；电流B、垂直；电压C、平行；电压D、垂直；电流
把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B，在另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称（），这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成（）。
霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流
单选题霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。A横向电位差B纵向电位差C横向电流D纵向电流