对半导体而言,正确的说法是()A.P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带正电。C.N型半导体和P型半导体本身都不带电。D.以上都不对

对半导体而言,正确的说法是()

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电。

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带正电。

C.N型半导体和P型半导体本身都不带电。

D.以上都不对


参考答案和解析
P型半导体和N型半导体本身都不带电;

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对一导体而言,R=U/I的物理意义是()。 A、导体两端电压越大,则电阻越大B、导体中电流越小,则电阻越大C、没有实际意义D、导体的电阻等于导体两端电压与通过的电流的比值

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半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。() 此题为判断题(对,错)。

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半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体的()A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

导体的电阻是导体本身的一种性质,以下说法正确的是()。A、和导体截面积有关B、和导体长度有关C、和环境温度无关D、和材料性质有关

下列说法正确的是()。A、导体可以变为绝缘体B、绝缘体可以变为导体C、导体是绝对的D、绝缘体是绝对的

半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。

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关于导体电阻的正确说法是,因为电阻R=U/I,所以导体的电阻与外加电压成正比。与流过的电流成反比。

对一导体而言,R=U/I的物理意义是()。A、导体两端电压越大,则电阻越大B、导体中电流越小,则电阻越大C、导体的电阻等于导体两端电压与通过导体的电流的比值D、没有实际意义

说法正确的是()A、导体的截面一定时长度越长电阻越大B、导体的直径越大电阻越大C、导体的电阻大小与温度无关D、导体的电阻大小与材质无关

根据欧姆定律,下列说法正确的是()。A、流过导体的电流与这段导体两端的电压成正比B、流过导体的电流与这段导体的电阻成反比C、流过导体的电流与这段导体两端的电压成反比D、流过导体的电流与这段导体的电阻成正比

当关掉电源后,对半导体存储器而言,下列叙述正确的是()。A、RAM的数据不会丢失B、ROM的数据不会丢失C、CPU中数据不会丢失D、ALU中数据不会丢失

对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

光照对半导体的导电性能的影响()。A、很小;B、很大;C、不大;D、无。

半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线

比较而言,下列半导体器件中性能最好的是()。A、GTRB、MOSFETC、IGBT

对半导体的叙述正确的是()。A、半导体即超导体B、半导体即一半导电一半不导电C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质D、半导体是经过处理的绝缘体

由欧姆定律I=U/R推得R=U/I,下列说法中正确的是()A、导体的电阻与导体两端的电压成正比B、导体的电阻与通过导体的电流成反比C、导体的电阻是导体本身的属性,它等于电压除以电流D、导体的电阻是导体本身的属性,它等于电流除以电压

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多选题导体的电阻是导体本身的一种性质,以下说法正确的是()。A和导体截面积有关B和导体长度有关C和环境温度无关D和材料性质有关

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