4、退火孪晶出现的几率与晶体的层错能的关系为 。A.(A)无关,只与退火温度和时间有关B.(B)层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高C.(C)层错能高的晶体出现退火孪晶的几率高D.(D)都不对

4、退火孪晶出现的几率与晶体的层错能的关系为 。

A.(A)无关,只与退火温度和时间有关

B.(B)层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高

C.(C)层错能高的晶体出现退火孪晶的几率高

D.(D)都不对


参考答案和解析
( B )层错能低的晶体出现退火孪晶的几率高

相关考题:

退火孪晶属于( )。 A、 自然孪晶B、机械孪晶

实践证明,多晶体金属不论发生滑移、孪晶还是晶间变形,只有切应力达到临界值时才有实现的可能。() 此题为判断题(对,错)。

上、下贝氏体的亚结构是()A、孪晶B、位错C、孪晶+位错D、亚共晶

下列属于面缺陷的是()。A、晶体外表面B、线缺陷C、晶粒边界D、孪晶界

晶体外表面、晶粒边界、孪晶界等属于面缺陷。()

金属单晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B

实际金属晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、蠕变D、滑移+孪晶

上、下贝氏体的亚结构是()A、孪晶,B、位错,C、孪晶+位错

下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为()A、下贝氏体>M位错>M孪晶,B、M位错>M孪晶>下贝氏体,C、M位错>下贝氏体>M孪晶

下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为()A、下贝氏体>M位错>M孪晶B、M位错>M孪晶>下贝氏体C、M位错>下贝氏体>M孪晶D、M位错=下贝氏体=M孪晶

晶体宏观长大方式包括()A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长

晶体从缺陷处生长的种类不包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长

根据构成能障的界面情况的不同,形核方式包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、均质形核

FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

晶体从缺陷处生长的种类包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、平行位错生长

退火孪晶

晶体宏观长大方式不包括()A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长

填空题FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

单选题晶体从缺陷处生长的种类不包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长

单选题晶体宏观长大方式包括()A树枝晶方式生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D螺旋位错生长

名词解释题退火孪晶

填空题晶体中的()有两种基本方式是滑移和孪晶。

多选题晶体从缺陷处生长的种类包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平行位错生长

多选题晶体宏观长大方式不包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长

多选题晶体宏观长大方式不包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长

单选题晶体宏观长大方式包括()A螺旋位错生长B平面方式生长C反射孪晶生长D旋转孪晶生长

单选题根据构成能障的界面情况的不同,形核方式包括()A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D均质形核

单选题属于线缺陷()。A堆垛层错B孪晶界C位错D间隙原子