43、常用数字集成电路的衬底材料的元素的全称(英文)是 silicon

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参考答案和解析
C

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PCC的英文全称是()。

EPC核心网的中文全称是__________________;英文全称是__________________。

射频识别技术的英文全称()

LED地材料制备包括什么?() A.外延片地制备B.衬底材料地制备C.外延片地生长D.衬底材料地生长

放射科信息系统的英文缩写为RIS,其英文全称是___________________________,是具有__________________________________________________________功能的系统。

16号全称()、43号文件的全称()

NPN的英文意思为(),英文全称()

请写出以下常用简称的英文全称或中文名称:INAP、CAPS、SAU、AIP、ASE、SIB、MML、PC、SRR、RRBE

LED的材料制备包括什么()。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长

PCR的中文全称是(),英文全称是(),基本过程包括()、()和()三个阶段。

英文缩写WBT指的是()舱,其英文全称是()。

CAD的英文全称是()中文全称是()

PLC、DCS的中文全称和英文全称分别是什么?

PLC的英文全称是Programmable Logic Controller,MPI的英文全称是Multi Point Interface,SM信号模块的英文全称是Signal Module,扫描周期的英文全称是()。

ATC(中文全称和英文全称)

电子影票PPV的英文全称为:()

LTE的英文全称()。

英文缩写LSLL的全称是什么?

设计规则检查的英文全称是(),缩写是()。

英文缩写IGV的英文全称是(),CDOT是()。

填空题晶圆的英文是(),其常用的材料是()和()。

填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

填空题设计规则检查的英文全称是(),缩写是()。

填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。

名词解释题ATC(中文全称和英文全称)