BJT和BJT可以构成BJT复合管, BJT和MOS可以构成BiMOS复合管,FET和FET可以构成FET复合管。

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参考答案和解析

相关考题:

随着温度的上升,BJT的Vbe将增大。()

测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V,Vb=-5V,Vc=-5.2V,试判断BJT的三个电极和管型。

BJT特性曲线常用()和()来表达。

常用的BJT具有()作用,此时应工作在()状态。

BJT与FET管的输出电阻为()A、均很大B、均很小C、BJT管很大,FET管较小D、BJT管很小,FET管较大

若想得到最大输出功率,BJT的参数条件:通过BJT的最大集电极电流为(),所选BJT的ICM一般不宜低于此值。

BJT是()控制器件,FET是()控制器件。

当NPN型BJT的VCE>VBE且VBE>0.5V时,则BJT工作在()。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区

BJT所代表的电气元件是()

在FET的输出特性曲线中,饱和区相当于BJT输出特性曲线的()区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的()区。

BJT使用的关键在于驱动电路的合理设计等,在由BJT构成的通用变频器中,影响系统的可靠性的因素有()A、BJT的过热B、BJT的欠压C、BJT的过流D、BJT的干扰

测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别Va=8V,Vb=5V,Vc=5.7V,试判断BJT的三个电极和管型。

BJT三极管与FET三极管相比()A、二者输入电阻均很大B、二者输入电阻均很小C、前者的输入电阻较小,后者的输入电阻甚大D、前者的输入电阻甚大,后者的输入电阻较小

在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电流源电路来代替。

场效应管是()控制器件。BJT是()控制器件。

FET是()器件,BJT是()器件。

若BJT发射结正向偏置,集电结反向偏置,则BJT处于()状态。

由FET构成的放大电路也有三种接法,与BJT的三种接法相比,共源放大器相当于()放大器。

根据共同端的不同,BJT可有三种连接方式:()、()和()接法。

两个电流放大系数分别为β1和β2的BJT复合,其复合管的β值约为()

在集成电路中,高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的()电路来代替。

MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

填空题BJT特性曲线常用()和()来表达。

问答题测得某放大电路中的BJT三个电极A、B、C对地电位分别为Va=-8V,Vb=-5V,Vc=-5.2V,试判断BJT的三个电极和管型。

问答题双极晶体管(BJT)的双极是什么意思?BJT有哪几种类型?BJT主要应用在哪些方面?

单选题BJT与FET管的输出电阻为()A均很大B均很小CBJT管很大,FET管较小DBJT管很小,FET管较大

单选题BJT三极管与FET三极管相比()A二者输入电阻均很大B二者输入电阻均很小C前者的输入电阻较小,后者的输入电阻甚大D前者的输入电阻甚大,后者的输入电阻较小

单选题MOS场效应管的英语缩写是()。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”