1、1．试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
1、1．试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
参考答案和解析
正确
相关考题：
单选题在晶体滑移过程中（）A由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
单选题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。A螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
填空题位错是在滑移面上局部滑移区的边界，位错分为刃位错和螺位错，刃位错的方向与滑移的方向（），螺位错的方向与滑移的方向（）。