当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。
当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。
参考答案和解析
错误
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在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫() A、内光电效应B、外光电现象C、热电效应D、光生伏特效应
X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时，发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当入射光子能量等于或大于1．02MeV时可以出现A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时，会发生A、相干散射B、光电效应C、康普顿效应D、电子对效应E、光核作用
以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A、光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B、光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
下列对光电效应的叙述中，哪些是正确的（）A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子
单选题以下关于光电效应的叙述，哪一条是错误的（）A光电效应发生几率随光子能量的增大而减小B光电效应发生几率随材料的原子序数增大而增大C光电效应过程中除产生光电子外，有时还会产生反冲电子D光电效应发射出的电子的能量肯定小于入射光子的能量
单选题入射光照射到某金属表面上发生光电效应，若入射光的强度减弱，频率保持不变，那么（）A从光照至金属表面上到发射出光电子之间的时间间隔将增大B逸出光电子的最大初动能将减小C单位时间内此金属表面逸出的光电子数量减小D有可能不发生光电效应.
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式，下列说法正确的是（）A入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正前方（0°）发射B入射γ光子能量很低时，光电子向入射γ光子的正后方（180°）发射C入射γ光子能量很低时，光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D入射γ光子能量增加时，光电子逐渐向后角发射E入射γ光子能量减少时，光电子逐渐向前角发射
填空题在光线作用下光电子逸出物体表面现象叫（）效应，利用该现象制成的元件有（）；在光线作用下使材料内部电阻率改变现象叫（）效应。