在硅、锗中掺杂III族元素,以下描述正确的是:A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子;B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴;C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心;D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。

在硅、锗中掺杂III族元素,以下描述正确的是:

A.III族元素在硅、锗中电离过程接受电子;

B.III族元素在硅、锗中电离产生导电空穴;

C.III族元素在硅、锗中电离后并形成正电中心;

D.此类杂质半导体为依靠价带空穴导电的P型半导体 。


参考答案和解析
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相关考题:

P型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的。A.硅元B.锗元素C.三价硼元素D.五价锑元素

对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。元素加入后,半导体变成n型半导体了。

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。() 此题为判断题(对,错)。

N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。 A.1B.3C.5D.7

半导体锗和硅都是四价元素,在原子结构的最外层都是()个电子。A.2B.3C.4D.5

对于锗和硅半导体来说,最常用的一类杂质是()、()和()等元素。这些元素加入后,半导体变成N型半导体了。

对于锗和硅半导体来说,最常用的另一类杂质是()、()和()等元素。这些元素加入后,半导体变成P型半导体了。

纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升。

关于9013,下面()是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管

在碳族元素中,从典型的非金属过渡到典型的金属,而锗的性质接近于硅远离于锡的原因是()A、原子量的接近程度B、次外层3d10电子的效应C、共价半径的大小D、无法确定

在本征硅(或锗)中掺入微量的()价元素,便可形成N型半导体。A、五B、四C、三D、二

在半导体硅(锗)中掺入磷、锑等五价元素,得到P型半导体。

在硅或锗本征半导体中掺如微量的()就可得到N型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素

太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

在P型半导体中,()是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗

N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。A、1B、3C、5D、7

要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的()A、三价元素B、四价元素C、五价元素D、六价元素

本征硅中掺入5价元素的原子,则多数载流子是(),掺杂越多,则其数量越();相反少数载流子是(),掺杂越多,则其数量越()。

本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越(),相反,少数载流子应是(),掺杂越多,则其数量一定越()。

在硅或锗本征半导体中掺入微量()就可得到P型半导体。A、二价元素B、三价元素C、四价元素D、五价元素

目前,大多数半导体的基础元素是()。A、碳B、硅C、锗D、铅

P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的。A、硅元B、锗元素C、三价硼元素D、五价锑元素

V族杂质在硅锗中电离,故放出电子产生导电导子形成正电中心,称为(),释放电子的过程称为()。依靠()的半导体称为n型半导体。

单选题在硅或锗本征半导体中掺入微量()就可得到P型半导体。A二价元素B三价元素C四价元素D五价元素

判断题硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。A对B错

单选题N型半导体是在本征硅或锗中掺入()价元素而得到的。A1B3C5D7

填空题硅和锗都是Ⅳ族元素,它们具有()结构。

判断题纯净的硅或锗中掺入少量三价元素电阻率会急剧上升。A对B错