()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定
IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率
电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（）控制器件。A电压B电流C电阻D功率
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
填空题电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。