下列关于EPROM的叙述,正确的是()。A.编程后可用紫外线擦除,然后重新写入数据B.可用电信号擦除C.在单片机系统中常被用作数据存储器D.断电后,数据丢失

下列关于EPROM的叙述,正确的是()。

A.编程后可用紫外线擦除,然后重新写入数据

B.可用电信号擦除

C.在单片机系统中常被用作数据存储器

D.断电后,数据丢失


参考答案和解析
编程后可用紫外线擦除

相关考题:

图2为常见ROM的分类图。图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A.PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROMB.EPROM、EEPROM、PROM、Flash ROMC.EEPROM、Flash ROM、PROM、EPROMD.Flash ROM、PROM、EPROM、EEPROM

下面的说法中,正确的是( )。A.EPROM是不能改写的B.EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器C.EPROM只能改写一次D.EPROM是可改写的,但它不能取代读写存储器

下列关于子宫位置与形态的叙述,正确的是( )

下列关于汉字编码的叙述中,不正确的一项是

下面关于ROM的叙述中,错误的是A.目前PC机主板上的ROMBIOS的存储载体是ROM类芯片B.Flash ROM芯片中的内容在一定条件下是可以改写的C.EPROM芯片中的内容一经写入便无法更改D.EPROM、Flash ROM芯片掉电后,存放在芯片中的内容不会丢失

下列关于城市规划的叙述,正确的是( )。

图中标出的①、②、③、④相应的英文缩写是A.PROM、EPROM、EEPROM、FlashROMB.EPROM、EEPROM、PROM、FlashROMC.EEPROM、FlashROM、PROM、EPROMD.FlashROM、PROM、EPROM、EEPROM

下列关于E-R模型的叙述中,不正确的是( )。

下列关于函数依赖的叙述中,( )是不正确的。

关于栓塞的叙述下列哪项是正确的( )。

关于机体水钠代谢失调,下列叙述正确的是( )。

下面的说法中,正确的一条是( )。A.EPROM是不能改写的B.EPROM是可改写的,所以也是一种读写存储器C.EPROM是可改写的,但它不能作为读写存储器D.EPROM只能改写一次

下列关于休止角叙述正确的是( )。

关于条件致病菌的叙述下列不正确的是

下列关于关系模式的码的叙述中,( )是不正确的?

下列关于INQ的叙述,正确的是( )。

下列关于合同生效的叙述。正确的有( )。

下列关于非参数统计叙述中正确的是

关于测量结果与测量误差,下列叙述中正确的是( )。

下列关于EPROM的叙述,正确的是A.EPROM是不可改写的只读存储器B.EPROM是可改写的随机存储器C.EPROM是利用电压变化可改写的读写存储器D.EPROM是可改写的只读存储器

叙述EPROM的编程过程,说明EEPROM的编程过程。

下列不属于BIOS芯片种类的是()。A、ROMB、FlashROMC、EPROM、EEPROMD、SRAM

以下叙述中,不正确的是()。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式

以下()等是ROM类型存储器。A、PROM,EPROM,SRAM和CCDB、PROM,EPROM,PLA和DRAMC、PROM,EPROM,PLA和DROMD、PROM,EPROM,SROM和DROM

对于可擦卒除可编程只读存储器EPROM,正确的叙述是()。A、它不可永久存放系统信息B、只能临时存储用户数据C、只能一次性写入D、存储内容可以擦除

下述关于EPROM的描述中哪一项是正确的()。A、只读存储器B、不能擦除数据C、光擦除可编程的只读存储器D、以上都错误

多选题下列关于注射剂特点的叙述,正确的是( )

问答题请判断下面的叙述中,哪些是正确的? (1)半导体ROM是一种非易失性存储器。 (2)半导体存储器是非永久性存储器,断电时不能保存信息。 (3)同SRAM相比,由于DRAM需要刷新,所以功耗大。 (4)由于DRAM靠电容存储电荷,所以需要定期刷新。 (5)双极型RAM不仅存取速度快,而且集成度高。 (6)目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成,称为FAMOS型EPROM,该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。