【单选题】半导体激光发光是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。A．原子B．分子C．离子D．能带

【单选题】半导体激光发光是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。

A．原子

B．分子

C．离子

D．能带

参考答案和解析
B

相关考题：

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对，错)。
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在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()
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P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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半导体中的载流子是电子和（）。A、电子B、空穴C、离子
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在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
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P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
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对半导体而言，其正确的说法是（）A、P型半导体多数载流子为空穴，所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子，所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子
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P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
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P型半导体中的多数载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、自由电子—空穴对D、等离子
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半导体中的载流子是指（）A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴
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在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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在P型半导体中空穴是（）载流子，电子是（）载流子。
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本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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填空题半导体激光发光是由（）之间的电子空穴对负荷产生的。
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单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A空穴／自由电子B自由电子／空穴C空穴／共价键电子D负离子／正离子
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填空题自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
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填空题空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。
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单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
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单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对符合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A禁带B分子C粒子D能带
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单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
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单选题半导体中的载流子是电子和（）。A电子B空穴C离子
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