电力MOSFET的开通时间由()之和组成。A.开通延迟时间B.电流上升时间C.电流下降时间D.电压上升时间

电力MOSFET的开通时间由()之和组成。

A.开通延迟时间

B.电流上升时间

C.电流下降时间

D.电压上升时间


参考答案和解析
开通延迟时间;电流上升时间

相关考题:

()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH

驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()

电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。A、越小B、不变C、越大D、不定

IGBT有哪些缺点?( )A、开关速度不及电力MOSFETB、开关速度比电力MOSFET快C、电压、电流容量不及GTOD、电压、电流容量比GTO大

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。

电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。

SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。

网络计划中,关键线路是指()。A、 全部由重要工作组成的线路B、 各工作持续时间之和最短的线路C、 存在关键工作的线路D、 各工作持续时间之和最长的线路

电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?

IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频

简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。

电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止()A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和

单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A电压B电流C电阻D功率

问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

填空题电力MOSFET的基本特性有()、()和()三种。

单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)适合于在()条件下工作。A直流B低频C中频D高频

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。

填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。