关于再次应答叙述错误的是A．潜伏期比初次应答短B．下降期比初次应答短C．维持高抗体浓度的时间比初次应答长D．IgG浓度超过IgM
关于再次应答叙述错误的是
A．潜伏期比初次应答短
B．下降期比初次应答短
C．维持高抗体浓度的时间比初次应答长
D．IgG浓度超过IgM
参考答案和解析
A
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有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期长D、初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
在抗体形成过程中，下列哪项叙述是错误的( )。A、Th细胞和B细胞的相互作用受MHC制约B、浆细胞是产生抗体的细胞C、B细胞对TD抗原的应答需巨噬细胞和 Th细胞参加D、B-1细胞活化没有双信号刺激E、再次应答时抗体产生快、效价高
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的A.体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B.Bm是再次应答的主要APCC.免疫应答过程中可产生Tm和BmD.TI-A9和TD-A9均可引起回忆应答E.记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
关于免疫应答的叙述,错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型S 关于免疫应答的叙述，错误的是A.需经抗原诱导产生B.分为体液和细胞免疫应答两种类型C.有多种细胞及分子参与D.在外周免疫器官中发生E.其结局总是对机体是有益的
有关体液免疫的初次应答与再次应答的不同点的陈述，错误的是A.初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB.再次应答抗体亲和力高C.再次应答产生IgG的潜伏期长D.初次应答的抗原提呈细胞是巨噬细胞E.再次应答的抗原提呈细胞是记忆B淋巴细胞
关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A、免疫应答过程中可产生Bm、TmB、在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C、记忆细胞表达CD45RAD、记忆细胞表面分子表达有改变E、再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生
关于免疫记忆的叙述，下列哪一项是错误的（）A、体液免疫和细胞免疫均存在免疫记忆现象B、Bm是再次应答的主要APCC、免疫应答过程中可产生Tm和BmD、TI-Ag和TD-Ag均可引起回忆应答E、记忆性细胞是在免疫应答的分化阶段产生的
体液免疫的初次应答与再次应答的不同点是（）A、初次应答产生的抗体主要是IgM，再次应答的是IgGB、再次应答抗体亲和力高C、再次应答产生IgG的潜伏期短D、初次应答的抗原呈递细胞是巨噬细胞E、再次应答的抗原呈递细胞是记忆B淋巴细胞
单选题关于免疫记忆的叙述，下列哪项是错误的（）A免疫应答过程中可产生Bm、TmB在免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞C记忆细胞表达CD45RAD记忆细胞表面分子表达有改变E再次应答可引起比初次应答更强的抗体产生