6、非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。A.n, 受主B.n, 施主C.p, 受主D.p, 施主

6、非本征半导体中,当电子浓度高于空穴浓度时,半导体是 型,掺入的是 杂质。

A.n, 受主

B.n, 施主

C.p, 受主

D.p, 施主


参考答案和解析

相关考题:

若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称______,若以自由电子导电为主的称______。A.PNP型半导体/NPN型半导体B.N型半导体/P型半导体C.PN结/PN结D.P型半导体/N型半导体

在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

半导体中自由电子和空穴数目相等这样半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、本征半导体

半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体叫做()。A、N型半导体B、P型半导体C、杂质型半导体D、本征型半导体

在纯净半导体内掺入适量的硼元素后,整个半导体()。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变

杂质半导体()A、自由电子和空穴的浓度不相等B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度无法确定

在杂质半导体中,()是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体

在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成()。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

在本征半导体中掺入微量的磷、锑、砷()杂质时的半导体,称为()。

本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

在本征半导体中掺入微量五价元素可得到()型杂质半导体,在本征半导体中掺入微量三价元素可得到()型杂质半导体。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

温度升高,本征载流子浓度();杂质半导体中少子浓度(),多子浓度()

在N型半导体中,掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。

在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

P型半导体的特点是()A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度

单选题若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后,若以空穴导电为主的称(),若以自由电子导电为主的称()。APNP型半导体/NPN型半导体BN型半导体/P型半导体CPN结/PN结DP型半导体/N型半导体

填空题自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是()型半导体

填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是

单选题本征半导体载流子()A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等

单选题杂质半导体()A自由电子和空穴的浓度不相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定