显存的速度以ns(纳秒)为单位,ns的含义为()。 A.0.001B.1e-006C.1e-010D.1e-012

显存的速度以ns(纳秒)为单位,ns的含义为()。

A.0.001

B.1e-006

C.1e-010

D.1e-012


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若提高凝汽器真空,机组出力增加ΔN,循环水泵功率增加ΔNs,则最佳真空为:()。 A、ΔNd-ΔNs之差最大时对应的真空B、ΔNd/ΔNs最大时对应的真空C、(ΔNd-ΔNs)/ΔNs最大时对应的真空D、(ΔNd-ΔNs)/ΔNd最大时对应的真空

现有四级指令流水线,分别完成取指、取数、运算、传送结果4步操作。若完成上述操作的时间依次为9ns、10ns、6ns、8ns,则流水线的操作周期应设计为(2)ns。A.6B.8C.9D.10

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试题(2)现有四级指令流水线,分别完成取指、取数、运算、传送结果4步操作。若完成上述操作的时间依次为9ns、10ns、6ns、8ns,则流水线的操作周期应设计为 (2) ns。(2)A.6B.8C.9D.10

假设某CPU的一个总线周期为50ns,时钟周期为、2ns,所访问的主存的存取速度为60ns,为了正确读出内存中的指令和数据,须在总线周期中插入的等待状态个数是( )。A.20个B.10个C.5个D.1个

某计算机主存的读写时间为100ns,其Cache的读写时间为10ns,Cache的命中率为90%,那么每条指令的访存时间是(10).A.15nsB.19nsC.16nsD.32ns

大多数常用的UVEPROM的最大读取时间和静态、动态RAM芯片的最大存取时间的数量级为( )。A.几个纳秒(ns)B.几十个微秒(μs)C.几百个纳秒(ns)D.几个微秒(μs)

若主存读写时间为30ns,高速缓存的读写时间为3ns,平均读写时间为3.27ns,则该高速缓存的命中率为( )。 A.90%B.91%C.96%D.99%

比转数为()时,采用离心式泵。A、ns<30B、30<ns<300C、ns>300

国家核安全局以()安全要求为蓝本,于2006年5月完成了《核设施厂址评价安全规定》修订版本A、NS-R-1B、NS-R-2C、NS-R-3D、NS-R-4

数字电路中码元时间单位/ns等于()。A、10-3秒B、10-6秒C、10-9秒

已知cache存储周期为20ns,主存存储周期为220ns,cache/主存系统平均访问时间为60ns,则cache命中率是()。

ⅣB族元素的价电子构型通式为()。A、ns2nd2B、ns1nd3C、(n-1)d3ns1D、(n-1)d2ns2

s区元素的价电子层结构特征为:()A、(n-1)d1-9ns1-2B、ns2np1-6C、(n-1)d10ns1-2D、ns1-2

三相交流异步电动机的转差率公式为:()A、s=ns/nrB、s=(ns-nr)/nsC、s=(ns-nr)/nrD、s=(nr-ns)/ns

外存储器具有容量大、数据永久保存、速度慢等特点,衡量外存的存取时间一般使用()A、ms(毫秒)B、s(秒)C、ns(纳秒)D、ks(千秒)

内存存取速度的单位是()A、sB、msC、μsD、ns

内存条上标有-6.-7.-8等字样,表示的是存取速度,用ns(纳秒.表示,该数值越小,说明内存速度()。

脉冲宽度设置:推荐标准为:5ns、30ns、100ns用于10公里以下,100ns、300ns、1us用于()。

双馈异步发电机的转差率S(其中ns为同步转速,n为发电机转子转速)为()。A、(ns-n)/nsB、(n-ns)/nsC、(ns-n)/nD、(n-ns)/n

半导体存储器RAM具有易失性、速度快、价格比较昂贵等特点。衡量半导体存储器的存取时间一般使用()。A、ms(毫秒)B、ks(千秒)C、ns(纳秒)D、s(秒)

一般中速TTL门电路从输入到输出的平均传输延迟时间是()。A、几纳秒(ns)B、几十纳秒C、几微秒

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4G时间同步要求±1.5微秒, 5G需要高精度时间同步,传输同步精度进一步提到± 200纳秒,那么请问设备时间精度能达到多少? (1.0分) [单选.] A. ± 5ns B. ± 10ns C. ± 15ns D. ± 20ns