多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干，其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液，产生废水的工序是（　）。A.剖方定位工序B.切片工序C.清洗工序D.烘干工序

多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干，其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液，产生废水的工序是（　）。

A.剖方定位工序
B.切片工序
C.清洗工序
D.烘干工序

参考解析

解析：由题中信息可知，只有切片工序和清洗工序可能产生废水，但切片工序使用的是无毒的碳化硅和聚乙二烯，而且循环使用。即产生废水的工序是清洗工序。

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()是在工序图上，用来确定本工序所加工表面加工后的尺寸、形状、位置的基准，即工序图上的基准。A.设计基准B.定位基准C.工序基准D.工艺基准
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工件定位时，只要被加工表面的工序基准沿( )方向上有变动量就存在定位误差。A.任意B.工序尺寸C.和工序尺寸方向垂直的D.和工序尺寸方向成60°角
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拌和的工序为加热、配料、烘干、搅拌等工序。() 此题为判断题(对，错)。
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多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅链→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干，其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液，产生废水的工序是( )。A. 剖方定位工序 B. 切片工序 C. 清洗工序 D. 烘干工序
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（2012年）多晶硅切片加工项目的生产工艺为：硅锭--刨方定位--切片---纯水清洗--电烘干，其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液，产生废水的工序是（ ）。A.刨方定位工序B.切片工序C.清洗工序D.烘干工序
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工序质量控制就是对工序活动条件即()的质量和()的质量及()的质量控制。A.工序活动投入B.工序活动效果C.分项工程D.工序活动进度
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多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干，其中切片工序循环使用碳化硅及聚乙二醇切割液，产生废水的工序是()。A:剖方定位工序B:切片工序C:清洗工序D:烘干工序
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为什么设置切片工序？
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以下工序不可能产生废水的是（）。A、烘干B、表调C、磷化D、超滤
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当工序基准，定位基准与设计基准重合，表面多次加工时，工序尺寸及公差的计算只需考虑各工序的加工余量所能达到的精度，其计算顺序是由什么开始向前推进？（）A、最后一道工序B、最开始一道工序C、第二道工序D、倒数第二道工序
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在加工工序图中，用来确定本工序加工表面位置的基准称为（）。A、设计基准B、定位基准C、工序基准D、测量基准
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以下属于HMDA工艺后处理工序的为（）A、溶剂回收工序B、脱溶剂工序C、粗产品及重组分提纯工序D、产品精馏工序E、尾气吸收工序及废水处理工序
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制丝工序基础工艺是指目前行业通用的采用片烟投料，通过切片、松散回潮进行叶混后对整个配方的叶片经、（）、（）、（）、加香（或储叶或掺兑）等工序进行顺序加工的传统工艺。
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在球团生产工艺中最重要的工序是（）工序A、配料B、造球C、烘干机D、焙烧
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编制效率是评价工序编制优劣的系数，编制效率=（平均加工时间/难度工序时间）×100%。其中难度工序时间是指（）所需的加工时间。A、所有工序中最难的工序B、所有工序中中等难度工序C、经过工序编制后最费时的工序D、经过工序编制后最难的工序
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为了做好服装生产过程的组织安排，要对工序进行划分。工序主要分为四类：a.加工工序，b.（）工序，c.运输工序，d.等待、储运工序。
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当进行工序设计时，通常可采用（）和（）两种不同的原则。（）A、工序粗基准、工序精基准B、工序先后、工序大小C、工序集中、工序分散D、工序精度、工序定位
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当工序基准，定位基准与设计基准重合，表面多次加工时，工序尺寸及公差的计算只需考虑各工序的加工余量所能达到的精度，计算的第二步是（）A、确定各工序余量和毛坯总加工余量B、确定工序尺寸C、求工序基本尺寸D、标注工序尺寸公差
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工件以外圆柱面在V型块上定位，产生定位误差最小的是（）。A、工序基准在下母线时B、工序基准与定位基准重合时C、工序基准在上母线时
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在以下工序顺序安排中，（）不是合理的安排。A、上道工序的加工不影响下道工序的定位与夹紧B、先进行外形加工工序，后进行内形形腔加工工序C、以相同定位、夹紧方式或同一把刀具加工的工序，最好接连进行D、在同一次装夹中进行的多道工序，应先安排对工件刚性破坏较小的工序。
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拌和的工序为加热、配料、烘干、搅拌等工序。
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工件上用来定位的表面称为定位基准面，而在工序图上，用来规定本工序加工表面位置的基准称为（）基准。A、工序B、设计C、测量D、辅助
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在加工工序中用作工件定位的基准称为工序基准。
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单选题当进行工序设计时，通常可采用（）和（）两种不同的原则。（）A工序粗基准、工序精基准B工序先后、工序大小C工序集中、工序分散D工序精度、工序定位
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判断题拌和的工序为加热、配料、烘干、搅拌等工序。A对B错
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