浸蜡温度控制在比蜡的熔点高几度为宜A、1℃B、2～4℃C、5～8℃D、8～10℃E、10～15℃
蜡型材料的熔解温度和全部熔解时的温度的叙述，正确的是A、一样B、后者比前者高5～10℃C、前者比后者高5～10℃D、后者比前者高20～25℃E、后者比前者高10～20℃
沥青的燃点温度大约比其闪点温度高______。 A. 5℃B. 10℃C. 15℃D. 20℃
汽包内饱和水的温度与饱和蒸汽的温度相比为()。 A.低B.高C.一样高
在进行支架铸造时，合金刚熔解就飞溅，可能的原因是A．合金熔解过度B．用低熔合金的坩埚熔解高熔合金C．合金熔解方式不对D．用高熔合金的坩埚熔解低熔合金E．合金中有杂质
某技师在烤箱达到900℃时开始铸造，烤箱最外面的铸圈有时铸造不全的原因是A、合金熔解温度过低B、铸圈温度不均匀C、合金熔解时没有保护好D、铸圈温度太高E、合金熔解太快
某技工在铸造钴铬支架时，合金刚熔解就飞溅，可能是A、合金熔解过度B、中熔合金的坩埚熔解高熔合金C、合金中有杂质D、合金熔解方式不正确E、高熔合金的坩埚熔解中熔合金
蜡全部熔解时的温度和开始熔解的温度相比A．一样B．高5～10℃C．高10～15℃D．低5～l0℃E．低10～15℃
蜡全部熔解时的温度和开始熔解的温度相比A．一样B．高5～10℃C．高10～15℃D．低5～10℃E．低10～15℃
蜡全部熔解时的温度和开始熔解的温度相比（）A.-样B.高5～10℃C.高10～15℃D.低5～10℃E.低10～15℃
蜡全部熔解时的温度和开始熔解的温度相比A. —样B.高 5~10℃C.高 10~15℃D.低 5~10℃E.低 10~15℃
蜡全部熔解时的温度和开始熔解的温度相比A:一样B:高5～10℃C:高10～15℃D:低5～10℃E:低10～15℃
某技师在烤箱达到900℃时开始铸造，为什么烤箱最外面的铸圈有时铸造不全？（）A、合金熔解温度过低B、铸圈温度不均匀C、合金熔解时没有保护好D、铸圈温度太高E、合金熔解太快
汽包内饱和水的温度与饱和蒸汽的温度相比是（）。A、高；B、低；C、一样高；D、高10℃。
双链DNA之所以有高的解链温度（熔解温度）是由于它含有较多的（）。A、嘌呤B、嘧啶C、A和TD、C和GE、A和C
在温度为15摄氏度和常压条件下1个体积的丙酮能熔解乙炔气体体积是（）。A、10个B、15个C、23个
DNA样品的均一性愈高，其熔解过程的温度范围愈（）。
在DNA分子中，一般来说G-C含量高时，比重（），Tm（熔解温度）则（），分子比较稳定。
单选题双链DNA之所以有高的解链温度（熔解温度）是由于它含有较多的（）。A嘌呤B嘧啶CA和TDC和GEA和C
单选题某技工在铸造钴铬支架时，合金刚熔解就飞溅，可能是（ ）。A合金熔解过度B中熔合金的坩埚熔解高熔合金C合金中有杂质D合金熔解方式不正确E高熔合金的坩埚熔解中熔合金
填空题DNA样品的均一性愈高，其熔解过程的温度范围愈（）。
单选题蜡型材料的熔解温度和全部熔解时的温度的叙述，正确的是（）A一样B后者比前者高5～10℃C前者比后者高5～10℃D后者比前者高20～25℃E后者比前者高10～20℃
单选题某技师在烤箱达到900℃时开始铸造，为什么烤箱最外面的铸圈有时铸造不全？（ ）A合金熔解温度过低B铸圈温度不均匀C合金熔解时没有保护好D铸圈温度太高E合金熔解太快
单选题某技师在烤箱达到900℃时开始铸造，烤箱最外面的铸圈有时铸造不全的原因是（）A合金熔解温度过低B铸圈温度不均匀C合金熔解时没有保护好D铸圈温度太高E合金熔解太快
单选题下列关于蜡型材料的熔解温度和全部熔解时的温度的叙述，正确的是（）A一样B后者比前者高5～10℃C前者比后者高5～10℃D后者比前者高20～25℃E后者比前者高10～20℃