●可用紫外光线擦除信息的存储器是(13)。(13) A.DRAMB.PROMC.EPROMD. EEPROM
●可用紫外光线擦除信息的存储器是(13)。
(13) A.DRAM
B.PROM
C.EPROM
D. EEPROM
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下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A.DRAM是指动态随机存取存储器B.SRAM是指静态随机存取存储器C.EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D.Flash Memory既具有非易性,又能快速擦除和重写
ROM是只读存储器。其中,可以读出,也可以写入,但是在- -次写操作之前必须用紫外线照射,以擦除所有信息然后再用編程器写入,可以写多次的ROM是( )。A. EPROMB. PROMC. FEPROMD. EEPROM
下述关于EEPROM的描述中正确的是()。A、EEPROM是只读取存储器,不可编程B、EEPROM是电可擦写的可编程只读存储器C、EEPROM中的内容需要在紫外光照射下才可擦除D、EEPROM中的内容在断电后消失
填空题MROM指()只读存储器,PROM指()只读存储器,EPROM指()擦除PROM,EEPROM指()擦除PROM。