兴奋性突触后电位的形成,突触后膜表现为A.反极化B.复极化C.局部去极化D.超极化E.形成动作电位
兴奋性突触后电位的形成,突触后膜表现为
A.反极化
B.复极化
C.局部去极化
D.超极化
E.形成动作电位
B.复极化
C.局部去极化
D.超极化
E.形成动作电位
参考解析
解析:兴奋性突触后电位的形成是因为突触后膜对Na(为主)的通透性升高,引起Na的内流,使膜内负电位绝对值减少,形成局部去极化电位引进突触后神经元产生兴奋。
相关考题:
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化 B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放 SXB 兴奋性突触后电位A.突触前膜去极化B.Ca2+流入突触前膜的量C.递质释放D.产生突触后电位E.Na+通透性增大
兴奋性突触后电位的形成是因为()。A、突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B、突触后膜对Cl一通透性升高,局部去极化C、突触后膜对Cl一通透性升高,局部超极化D、突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E、突触后膜对K+通透性升高,局部去极化
单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
单选题兴奋性突触后电位的形成是因为( )。A突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E突触后膜对K+通透性升高,局部去极化