单选题兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。A突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化B突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化C突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化D突触后膜对K+通透性升高,局部超极化E突触后膜对K+通透性升高,局部去极化

单选题
兴奋性突触后电位的形成是因为(  )。
A

突触后膜对Na+通透性升高,局部去极化

B

突触后膜对Cl-通透性升高,局部去极化

C

突触后膜对Cl-通透性升高,局部超极化

D

突触后膜对K+通透性升高,局部超极化

E

突触后膜对K+通透性升高,局部去极化


参考解析

解析:
突触后膜在递质作用下发生去极化,使该突触后神经元的兴奋性升高,这种电位变化称为兴奋性突触后电位,形成原因是突触后膜在化学递质作用下,引起细胞膜对Na+、K+等离子的通透性增加,由于Na+内流大于K+的外流,所以主要是Na+内流,故出现细胞膜局部去极化电位。因此,答案选A。

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