在晶体生长的过程中与下列哪个因素无关（）。A、溶解度B、冷却速度C、溶液浓度D、过滤方式
反接制动方式在提升系统中用得较少原因是（）A、冲击电流大B、冲击力矩大C、制动速度慢D、制动力矩小
晶体宏观长大方式包括（）A、螺旋位错生长B、平面方式生长C、反射孪晶生长D、旋转孪晶生长
流化技术在片剂制备中用于（）.A、制粒B、干燥C、包衣D、混合
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。A、反应温度在280℃~300℃之间B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥C、晶体生长速度D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度
在（）情况下得到粗大而有规则的晶体。A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（）A、晶体生长速度大大超过晶核生成速度B、晶体生长速度大大低于过晶核生成速度C、晶体生长速度等于晶核生成速度D、以上都不对
关于氢氧化铝的用途，说法错误的是（）A、用于制药，中和胃酸B、用于制备铝酸盐C、用于制备三氧化二铝D、在实验中用于中和过量强酸
自然界存在的晶体或人工制备的晶体中，所有粒子都是按照一定规律有序排列的，没有任何缺陷。
按包裹体形成的相对时间，可将宝石中包裹体分为三大类，其中原生包裹体是指（）A、比寄主晶体先形成的包裹体B、与寄主晶体同时形成的包裹体C、在寄主晶体停止生长之后形成的包裹体
对纯金属，正确的是（）A、在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B、在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C、在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D、在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
晶体宏观长大方式不包括（）A、螺旋位错生长B、旋转孪晶生长C、反射孪晶生长D、树枝晶方式生长
多选题反接制动方式在提升系统中用得较少原因是（）A冲击电流大B冲击力矩大C制动速度慢D制动力矩小
问答题固-液界面结构如何影响晶体生长方式和生长速度？
单选题晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是（）A固相生长B液相生长C气相生长
多选题对纯金属，正确的是（）A在正温度梯度下，晶体以平面方式生长B在负温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长C在负温度梯度下，晶体以平面方式生长D在正温度梯度下，晶体以树枝晶方式生长
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D树枝晶方式生长
多选题晶体宏观长大方式不包括（）A螺旋位错生长B旋转孪晶生长C反射孪晶生长D平面方式生长
单选题晶体宏观长大方式包括（）A螺旋位错生长B平面方式生长C反射孪晶生长D旋转孪晶生长
判断题人工晶体偏心是指人工晶体的光学中心偏离视轴（）A对B错