SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。A、反应温度在280℃~300℃之间B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥C、晶体生长速度D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度
SiHCl3还原法制备晶体硅，在生产过程中不需要控制（）。
- A、反应温度在280℃~300℃之间
- B、硅粉与HCl在进入反应炉前要充分干燥
- C、晶体生长速度
- D、合成时加入少量的催化剂，可降低温度
相关考题：
关于催化剂干燥，下列说法错误的是( )。A、在干燥过程中要控制升温速度，防止反应器入口温度上升过快，而床层温度过低，造成反应器上部水汽化而又在反应器下部冷凝的现象B、升压或泄压速度严格按标准进行，气密实验压力也应严格按照规定的压力进行，不得超压C、反应系统升温过程中，热高分底部要间断排放，避免底部温度升温过慢D、发现漏点，不需要处理
硅钨酸重量法测定维生素B1的原理及操作要点是（）A、在中性溶液中加入硅钨酸的反应，形成沉淀，称重求算含量B、在碱性溶液中加入硅钨酸的反应，形成沉淀，称重求算含量C、在酸性溶液中加入硅钨酸的反应，形成沉淀，称重不算含量D、在中性溶液中加入硅钨酸的反应，形成沉淀，溶解，以标准液测定求算含量E、在碱性溶液中加入硅钨酸的反应，形成沉淀，溶解，以标准液测定求算含量
关于加氢裂化催化剂干燥，下列说法正确的是（）A、催化剂干燥时，加氢裂化反应器进口最高温度控制在175℃B、催化剂干燥时，加氢裂化反应系统压力控制3.5MPaC、催化剂干燥结束标志是反应器进口温度升至175℃后，直至反应器出口温度达到135℃，并且冷高分无水增加D、催化剂干燥时，停用反应炉低流量联锁
影响化学反应速度的因素有哪些（）A、浓度：在恒定温度下，反应速度与反应物深度的乘积成正比（质量作用定律），可见反应浓度愈大，其反应速度也加快B、温度：温度升高，一般都使反应速度加快，根据实验，温度每升高20℃，反应速度将加快2-3倍C、温度：温度升高，一般都使反应速度加快，根据实验，温度每升高10℃，反应速度将加快2-3倍D、催化剂：催化剂对反应速度影响很大，很多反应只有在催化剂的作用下才能迅速进行。
在合成氨工业中，应当加以优化的主要工艺条件有温度、压力、原料气组成、空间速度及催化剂粒径等，其中反应温度的最佳范围是（）A、400~510℃B、300~400℃C、500~600℃D、300~510℃
多晶硅可用氢气在高温（900～1100℃）下还原三氯硅烷（SiHCl3）制得。问要制备100g纯硅至少需要氢气（）g，在0℃和101.325kPa下相当于（）体积，又同时可产生氯化氢气体（）g。（提示：SiHCl3+H2＝Si+3HCl）
填空题原料温度与泡沫反应速度密切相关，在生产过程中必须严格控制，如果温度（），泡沫反应速度（），漏料严重；如果温度（），泡沫反应速度（），会导致局部缺料。