用频谱仪测量信号功率,输入到混频器的电平应()标称的1dB压缩点。 A.远小于B.约等于C.远大于D.两者无关
当二极管两端的电压VD()某一值VT时,二极管导通。 A、大于B、小于C、等于D、小于或等于
单相桥式整流电容滤波电路中,每个整流二极管的导通角( ) A大于180°B小于90°C小于180°D等于180°
单相桥式整流电路中,每个整流二极管的导通角( ) A大于180°B小于90°C小于180°D等于180°
直放站上行增益的设置要()路径损耗。 A.大于B.小于C.等于D.与路径损耗无关
电感滤波电路中整流二极管的导通角（）180°。A.大于B.小于C.等于D.大于等于
以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（）A、二极管混频器B、晶体管混频器C、场效应管混频器D、模拟乘法器混频电路
在加有滤波电容的整流电路中，二极管的导通总是（）1800A、大于B、小于C、等于
性能良好的二极管正向电阻（）反向电阻。A、大于B、等于C、小于D、不确定
在加有滤波电容的整流电路中， 二极管的导通总是（）1800。A、大于B、小于C、等于D、不确定
种子园中生产的种子，其遗传增益（）母树林或一般的种子生产基地。A、小于B、大于C、等于D、无法比较
二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。A、大于B、小于C、等于D、无关于
直放站上行增益的设置要（）路径损耗。A、大于B、小于C、等于D、与路径损耗无关
用频谱仪测量信号功率，输入到混频器的电平应（）标称的1dB压缩点。A、远小于B、约等于C、远大于D、两者无关
理想二极管在半波整流电容滤波电路中的导通角为（）。A、小于180°B、等于180°C、大于180°
每只二极管承受的最高反向电压（）线电压的最大值。A、大于B、小于C、等于D、远大于
关于二极管混频器和晶体管混频器，下面说法有误的是（）A、二极管混频器组合频率少、动态范围大B、二极管混频器的变频功率增益小于1C、晶体管混频器组合频率多、干扰严重D、晶体管混频器没有变频功率增益
晶体管混频器的变频增益小于1，而二极管混频器的变频增益大于1。
硅二极管的正向电阻（）锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
二极管的正向电阻（）反向电阻。A、大于B、小于C、等于D、大于或等于
单选题二极管的最高反向工作电压一定（）二极管的反向击穿电压。A大于B小于C等于D无关于
单选题直放站上行增益的设置要（）路径损耗。A大于B小于C等于D与路径损耗无关
单选题以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（）.A二极管混频器B三极管混频器C模拟乘法器混频器
单选题用频谱仪测量信号功率，输入到混频器的电平应（）标称的1dB压缩点。A远小于B约等于C远大于D两者无关
单选题种子园中生产的种子，其遗传增益（）母树林或一般的种子生产基地。A小于B大于C等于D无法比较