晶体管工作在饱和区时,基极电流为零。 () 此题为判断题(对,错)。
晶体管工作在饱和区时,基极电流为零。 ()
此题为判断题(对,错)。
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8、IGBT的饱和工作原理是()。A.MOSFET的沟道夹断,饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B.MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入,形成传导电流。C.MOSFET的沟道夹断,pnp晶体管工作在截至状态。D.MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
1、晶体管工作在()时,具有电流放大作用。A.截止区B.饱和区C.放大区D.放大区和饱和区