晶体管工作在饱和区时,基极电流为零。 () 此题为判断题(对，错)。

晶体管工作在饱和区时,基极电流为零。 ()

此题为判断题(对，错)。

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当晶体管的集电极电流增量与基极电流增量之比几乎不变时，晶体管处于______。A.放大区B.饱和区C.截止区D.放大或饱和区
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晶体管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。 A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只决定于Ucc和Rc
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8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
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晶体管工作在饱和区时，集电结为____A．零偏置B．正向偏置C．反向偏置D．无
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无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大。
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晶体管工作在（）区时，具有电流放大作用。A．饱和区B．放大区C．截止区D．放大区和饱和区
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无论在放大区或饱和区, 集电极电流总随着基极电流增大而增大
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8、晶体管工作在饱和区时，集电结为____A．零偏置B．正向偏置C．反向偏置D．无
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1、晶体管工作在（）时，具有电流放大作用。A．截止区B．饱和区C．放大区D．放大区和饱和区
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