具有快速熔断器保护的整流二极管的反向峰值电压的选择按熔断器峰值过电压来考虑。

具有快速熔断器保护的整流二极管的反向峰值电压的选择按熔断器峰值过电压来考虑。


相关考题:

硅整流二极管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压

晶闸管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压

正确选择快速熔断器,可使晶闸管元件可得到保护,下述哪些是正确的?(A)快速熔断器的I2t值应小于晶闸管元件允许的I2t值(B)快速熔断器的通断能力必须大于线路可能出现的最大短路电流(C)快速熔断器分断时的电弧电压峰值必须小于晶闸管元件允许的反向峰值电压(D)快速溶断器的额定电流应等于晶闸管元件本身的额定电流

反向峰值电压

最常见的过电压保护是()。A、快速开关B、阻容保护C、压敏电阻D、快速熔断器

反向重复峰值电压

晶闸管的过流保护有快速熔断器保护,()和()。

允许重复加在晶闸管两端的电压为()。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值

HR系列熔断器式隔离开关具有()保护作用。A、低电压B、过负荷C、短路

晶闸管反向重复峰值电压(有称反向阻断峰值电压)规定比反向击穿电压小()V。A、50B、80C、100D、120

可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小()V。

当快速熔断器熔断时,应检查整流管的()。A、反向重复峰值电压B、正向重复峰值电压

晶闸管反向转折电压与反向峰值电压的关系为()A、反向峰值电压较小B、反向转折电压较大C、两者相等D、反向峰值电压大于反向转折电压

硅整流二极管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压

功率整流装置应设交流侧过电压保护和换相过电压保护,每个支路应有快速熔断器保护,快速熔断器动作特性不需与被保护元件过流特性相配合。

晶闸管反向阻峰值电压规定比反向击穿电压小()。

硅整流二极管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对

晶闸管的额定电压是指()。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对

关于熔断器功能或特点描述正确的是()A、熔断器具有短路保护功能B、熔断器具有严重过流保护功能C、熔断器具有严重过压保护功能D、熔断器内的石英沙能帮助灭弧

为什么要用快速熔断器作晶阐管的过流保护?

高压熔断器的额定电流选择应能满足被保护设备熔断保护的可靠性、选择性、灵敏性,其保护特性应与被保护对象的过载特性相适应,考虑到可能出现的(),选用相应分断能力的高压熔断器。A、短路电流B、短路容量C、短路阻抗D、峰值电流

晶闸管的额定电压是在()中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压

晶闸管两端()的目的是实现过压保护。A、串联快速熔断器B、并联快速熔断器C、并联压敏电阻D、串联压敏电阻

晶闸管的主要参数有()。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压

一般地,晶闸管反向阻断峰值电压比正向阻断峰值电压大得多。

整流二极管保护二极管的快速熔断器的额定电流接通过二极管的正向平均电流来选择。

晶体管的过流保护措施是()。A、并联阻容吸收回路B、并联快速熔断器C、串联阻容吸收电路D、串联快速熔断器