直流耐压试验的试验电压()被试品的工作电压。 A、低于B、高于C、等于D、不考虑
做直流耐压试验时,输入电压应低于电器的工作电压。() 此题为判断题(对，错)。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
在整流二级管上所经受的最大反峰电压，或称最大反向电压，它等于整流二级管所经受的最大直流工作电压。（）
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
在预防性试验中，6～10kV交联电缆的直流耐压试验电压为4倍额定电压（）。
直流耐压试验在升压过程中，应在0.25、0.5、0.75倍试验电压下停留1min，以观察并读取泄漏电流值，最后在全试验电压下进行耐压试验。（）
对于高电压的交联聚乙烯绝缘电缆，直流耐压试验不能反映整条线路的绝缘水平。
直流耐压试验施加的直流试验电压较高，属于破坏性试验。
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。A、2.83倍；B、2倍；C、1倍；D、1.414倍。
单相全波整流，整流元件承受最大反向电压为（）。三相半波整流，整流元件承受最大反向电压为（）。
直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。
在直流耐压试验的半波整流线路中最高试验电压不得超过其额定电压的（）倍。A、1/2B、1C、2D、3
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
工频耐压试验在试验时利用外部升压设备产生高压试验电压对被试设备进行耐压试验，因此也称作（）。A、直流耐压试验B、冲击耐压试验C、外施电压耐压试验D、感应耐压试验
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
单选题在单相半波整流电路中，整流二极管的反向耐压必须大于（）。A输出的平均电压值B所接负载电压值C变压器副边电压最大值D变压器副边电压有效值
填空题单相全波整流，整流元件承受最大反向电压为（）。三相半波整流，整流元件承受最大反向电压为（）。
判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时，高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压，其额定整流电流应大于工作电流，并有一定的裕度。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
单选题在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）A2.83倍B2倍C1倍D1.414倍