晶体管毫伏表的最大特点除了输入灵敏度高外,还有()A、输入阻抗高B、输入阻抗低C、输入抗干扰性能强D、输入抗干扰性能弱

晶体管毫伏表的最大特点除了输入灵敏度高外,还有()

  • A、输入阻抗高
  • B、输入阻抗低
  • C、输入抗干扰性能强
  • D、输入抗干扰性能弱

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决定天线抗干扰能力的指标是()。 A、极化方式B、驻波比C、输入阻抗D、主瓣波束宽度

关于无源校正装置下述说法正确的是()。 A. 本身没有增益,只有衰减;输入阻抗低,输出阻抗高。B. 本身有增益,并且有衰减;输入阻抗低,输出阻抗高。C. 本身没有增益,只有衰减;输入阻抗高,输出阻抗低。D. 本身有增益,并且有衰减;输入阻抗低,输出阻抗高。

射随器主要起阻抗变换作用,其利用的是()。A、高输入阻抗和高输出阻抗特点B、低输入阻抗和高输出阻抗特点C、高输入阻抗和低输出阻抗特点

电子仪表具有()输入阻抗。A、很低B、低C、很高D、高

数字显示仪表的特点有精确度较高、灵敏度高、输入阻抗高、使用方便等。

运算放大器具有()的特性。A、高放大倍数B、低输入阻抗C、高输入阻抗D、低输出阻抗E、高输出阻抗

数字电压表与模拟电压表相比,具有精度高、测量速度快、输入阻抗高、读数直观、准确和()等特点。A、成本高B、更完美C、输入阻抗低D、自动化程度高

下列不是晶体管毫伏表的特性是()。A、测量量限大B、灵敏度低C、输入阻抗高D、输出电容小

三极管毫伏表的最大特点,除了输入灵敏度高外,还有()。A、输入抗干扰性能强B、输入抗干扰性能弱C、输入阻抗低D、输入阻抗高

在测量()信号时,必须提高测量线路的输入阻抗与信号源内阻的比值。A、低内阻毫伏B、高内阻毫安C、低内阻毫安D、高内阻毫伏

跟DRAM相比,SRAM的特点是()A、每位晶体管数目多,访问时间短,抗干扰强,花费高B、每位晶体管数目多,访问时间长,抗干扰强,花费高C、每位晶体管数目少,访问时间长,抗干扰弱,花费高D、每位晶体管数目少,访问时间短,抗干扰强,花费低

高输入阻抗电压放大器的输入阻抗一般大于()A、106ΩB、107ΩC、108ΩD、109Ω

场效应管()。A、是电流控制元件B、是电压控制元件C、输入阻抗高D、输入阻抗低E、输入阻抗与三极管相同

COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。A、静态功耗低,电源电压范围宽B、输入阻抗高,扇出能力强C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

电平比较器的主要特点有()。A、抗干扰能力强B、灵敏度高C、灵敏度低D、用做波形变换E、抗干扰能力弱

电压串联负反馈放大电路的主要特点是()。A、输入阻抗高、输出阻抗低B、输入输出阻抗均低C、输入阻抗低、输出阻抗高

绝缘栅双级晶体管具有速度快,输入阻抗高,通态电压(),耐压高,电容量大的特点。

放大器中的电流负反馈电路,主要起稳定工作点和()的作用。A、抗干扰B、直接耦合C、输入阻抗高D、限流

关于输入阻抗,下述说法不正确的是()A、仪表在输出端接有额定负载时,输入端所表现出来的阻抗。B、输入阻抗的大小决定对信号源的衰减程度。C、输入阻抗小,仪表的灵敏度高。D、为减小测量误差,通常要求仪表的输入阻抗大。

多选题运算放大器具有()的特性。A高放大倍数B低输入阻抗C高输入阻抗D低输出阻抗E高输出阻抗

单选题脑电图机的许多重要参数是由前置放大器的性能决定的,一个优良的前置放大器的应能提供(  )。A高的共模抑制比,高的噪音电平和高的输入阻抗B低的共模抑制比,低的噪音电平和低的输入阻抗C高的共模抑制比,低的噪音电平和低的输入阻抗D高的共模抑制比,低的噪音电平和高的输入阻抗E低的共模抑制比,高的噪音电平和高的输入阻抗

单选题脑电图仪放大器应具备的特性不包括(  )。A抗干扰性强B噪音低C高输入阻抗D高灵敏度E带宽窄

单选题跟DRAM相比,SRAM的特点是()A每位晶体管数目多,访问时间短,抗干扰强,花费高B每位晶体管数目多,访问时间长,抗干扰强,花费高C每位晶体管数目少,访问时间长,抗干扰弱,花费高D每位晶体管数目少,访问时间短,抗干扰强,花费低

单选题放大器中的电流负反馈电路,主要起稳定工作点和()的作用。A抗干扰B直接耦合C输入阻抗高D限流

单选题场效应晶体管与晶体三极管比较,其突出优点是()A噪声低、输入阻抗低B热稳定性好、输入阻抗低C噪声低、输入阻抗高D噪声低、热稳定性差

多选题电子电压表的特点主要有()等。A量程范围广B频率范围宽C灵敏度高D输入阻抗高E刻度非线性

单选题集成运算放大器的输入阻抗/输出阻抗特点是()。A高/低B低/高C高/高D低/低