可以在飞行计划中输入一个左或右的横向偏置,此偏置的范围可达:()A、1-30海里B、1-40海里C、1-50海里

可以在飞行计划中输入一个左或右的横向偏置,此偏置的范围可达:()

  • A、1-30海里
  • B、1-40海里
  • C、1-50海里

相关考题:

晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置,集电结反向偏置B.发射结反向偏置,集电结正向偏置C.发射结正向偏置,集电结反向偏置D.发射结正向偏置,集电结正向偏置

晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦波时,输出电压波形负半周出现底部削平的失真,这种失真是()。 A、产生饱和失真,应增大偏置电流IBB、产生饱和失真,应减小偏置电流IBC、产生截止失真,应增大偏置电流IBD、产生截止失真,应减小偏置电流IB

HCNC(华中数控系统)中,应使刀具长度补偿的偏置值与偏置号相对应,可以通过()先设置在偏置存贮器中。A、ROM;B、RAM;C、CPU;D、MDI/CRT;

结型场效应管用作放大时,输入端G、S间应保持()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

发射结正向偏置,集电结正向偏置,则此三极管工作在()状态。

刀具长度偏置指令中,G44表示()。A、左向偏置B、右向偏置C、正向偏置D、负向偏置

刀具长度位置指令中,G44表示()。A、左向偏置B、右向偏置C、正向偏置D、负向偏置

工件零点偏置可根据需要,将所需的偏置量输入()中。A、基本地址寄存器B、偏置寄存器C、操作控制器

刀具位置偏置量由参数设定,偏置量的选择代码可以为()。A、T;B、Q;C、H或O;D、P或R。

零点偏置原则之一:来自同组指令中的两个偏置尺寸,()偏置尺寸有效。A、任何一个;B、没有一个;C、最后调用;D、最先调用;

下面关于刀具半径补偿说法不正确的是()。A、刀具半径补偿C不执行从MDI输入的指令,但是当用单程序段功能暂时停止绝对值指令的自动运行时,可以执行MDI运行B、在偏置方式中,偏置方向不可以改变C、如果在偏置方式中指定下面指令,偏置方式被暂时取消,然后又自动恢复D、当在偏置方式中指令没有刀具移动的程序段时,矢量和刀心轨迹与程序段不指令时相同

普通晶体管用作放大时,输入端发射结保持为()。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可

晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

同一个网络中的各个基站的PN偏置的设置必须是PN偏置步长的倍数。

发光二极管工作在()偏置条件下;导通电压的范围为()V。光电二极管工作在()偏置条件下; 变容二极管工作在()偏置条件下。

为什么说集成运放的输入偏置电流IIB越小越好?为了减小输入偏置电流,通常可采取那些措施?

三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

在GSK928数控系统中,G27指令执行后将消除系统的()A、系统坐标偏置B、刀具偏置C、系统坐标偏置和刀具偏置

FMC水平偏置可达99.9海里,但有的航段不能偏置,其中一个是()A、飞行计划起始航路点B、航段不连续处C、现在位置等待航线D、航迹改变大于90度

填空题()命令可以偏置一个或多个连接的面或片体生成实体。

问答题伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管,试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下,哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?

单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置

填空题在使用偏置面(Offset Face)和偏置曲面(Offset Surface)功能无法完成对面的偏置操作时,可以使用()命令大致偏置一个距离,从而创建一个没有自相交、锐边或拐角的偏置片体。

判断题分压偏置式共射极放大器中,基极采用分压偏置的目的是为了提高输入电阻。A对B错

单选题硅光二极管在适当偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。适当偏置是()A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置

单选题硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射量有良好的线性关系,且动态范围较大。A恒流B自偏置C零伏偏置D反向偏置