一半径为R的均匀带电球壳,在其球心O处放置一点电荷q,该电荷受的电场力为零,若该电荷偏离球心O,则该电荷q的受力情况为()。 A、变大B、变小C、不变D、无法判断
以点电荷q所在点为球心，距点电荷q的距离为r处的电场强度应为：
以点电荷q所在点为球心，距点电荷q的距离为r处时电场强度等于：
在真空中，有一半径为R的均匀带电球面，面密度为σ，球心处的电场强度为（ ）。
在半径为R的球体内，电荷分布是球对称的，电荷体密度为ρ = ar(0≤r≤R)，ρ= 0(r＞R),其中α为大于O的常数，在球体内部，距球心为；x处的电场强度为( )。
下列说法错误的是：（）。A、史瓦西黑洞是黑洞的激发态B、带电不转动的黑洞是R-N黑洞C、既转动又带电的黑洞是KERR-NEWMAN黑洞D、转动不带电的黑洞是KERR黑洞
均匀带电q的球体内离球心r处的场强：（）A、等于零B、与r成正比C、与r2成正比D、与r2成反比
在加工界面内计算刀具中心轨迹时，若球头刀半径为R，则球头刀球心距加工表面距离应为（）。A、R2tanφB、R4tanφC、5R3ctaφD、Rcosφ
对单向膜区的说法哪个不正确（）。A、事件指向奇点B、进入黑洞的物质不能停留，落向奇点C、R=0是球心，并且是时间的终点D、黑洞内部都是真空
下列关于黑洞说法错误的是：（）。A、洞内是单向膜区B、时间指向奇点C、R=0处是黑洞的球心D、进入黑洞的物体不能停留，落向奇点
带电量Q的导体A置于外半径为R的导体球壳B内，则球壳外离球心r处的电场强度大小（），球壳的电势（）。
以点电荷Q所在点为球心，距点电荷Q的距离R处的电场强度E://（）。A、Q／4πε0R2B、Q／4πε0RC、Q／2πε0R2D、Q／4πR
以球面顶点O为原点，球心C在O点右侧，则曲率半径r为正（正或负），球心C在O点左侧，则曲率半径r为（）
薄壁半球壳重心约在（）A、离底面的距离为1/2R处B、过球心且与底面垂直的直线上，与底面间的距离为1/2R处
半径为R的不均匀带电球体，电荷体密度分布为ρ=Ar，式中r为离球心的距离（r≤R），A为一常数，则球体中的总电量（）
均匀带电球面，球面半径为R，总带电量为q，则球心O处的电场E0=（），球面外距球心r处一点的电场Eφ=（）。
均匀带电球面，电荷面密度为σ，半径为R，球面内任一点的电势为（）。A、不能确定B、与球心处相同C、与球心处不同D、为零
球对称黑洞（史瓦西黑洞）的表面位于r=2GM处，这个球面是（）。A、事件视界B、无限红移面C、单向膜区的起点D、曲率发散的面
球对称带电黑洞（R-N黑洞）有内、外两个视界面。外视界r+=M+M2？Q2，内视界r？=M+M2？Q2，中心r=0处有一个奇点。当电荷Q→0时，它退化为球对称的史瓦西黑洞；当电荷增加到Q=M时，它成为内外视界重合的极端黑洞；当电荷进一步增加QM时，视界和单向膜区消失，奇点裸露出来。
球对称黑洞外部，t是时间坐标，r，θ，φ是空间坐标。黑洞内部“t，r，θ，φ”中哪一个是时间坐标？（）A、tB、φC、θD、r
填空题以球面顶点O为原点，球心C在O点右侧，则曲率半径r为正（正或负），球心C在O点左侧，则曲率半径r为（）
单选题球对称黑洞外部，t是时间坐标，r，θ，φ是空间坐标。黑洞内部“t，r，θ，φ”中哪一个是时间坐标？（）AtBφCθDr
单选题下列说法错误的是：（）。A史瓦西黑洞是黑洞的激发态B带电不转动的黑洞是R-N黑洞C既转动又带电的黑洞是KERR-NEWMAN黑洞D转动不带电的黑洞是KERR黑洞
单选题对单向膜区的说法哪个不正确（）。A事件指向奇点B进入黑洞的物质不能停留，落向奇点CR=0是球心，并且是时间的终点D黑洞内部都是真空
单选题下列关于黑洞说法错误的是：（）。A洞内是单向膜区B时间指向奇点CR=0处是黑洞的球心D进入黑洞的物体不能停留，落向奇点
多选题球对称黑洞（史瓦西黑洞）的表面位于r=2GM处，这个球面是（）。A事件视界B无限红移面C单向膜区的起点D曲率发散的面