单选题霍尔电压与流过基片的电流成()。A反比B正比C倒数

单选题
霍尔电压与流过基片的电流成()。
A

反比

B

正比

C

倒数


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

电路中电流过某一电阻的电流与电阻成(),与电阻两端电压成()。

流过电路的电流:与电阻成(),与电压成正比。

霍尔电压与通过霍尔元件的电流和磁感应强度成反比。

霍尔电压与基片的厚度()。A、成反比B、成正比C、无关D、成倍数增长

部分电路欧姆定律的内容是()。A、流过电阻R的电流与电源两端的电压成正比B、流过电阻R的电流与电源两端的电压成反比C、流过电阻R的电流与电阻两端的电压成正比

在电阻并联电路中,各电阻两端的端电压(),流过电阻的电流与电阻值成(),各电阻通过的功率与电阻值成()。

流过导体电流,与导体二端的电压成(),与导体的电阻成()。

流过相线的电流称为线电流,相线与相线之间的电压称为线电压。()

流过导体的电流与这段导体两端的电压成(),与这段导体的电阻成反比。

电流流过人体造成的直接伤害与()无关。A、电流值B、电压值C、流过电流的时间D、电流频率

在一段电路中,流过电路的电流与电路两端的电压成(),与该段电路的电阻成()。

霍尔电压与流过基片的电流成()。A、反比B、正比C、倒数

在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

根据欧姆定律,下列说法正确的是()。A、流过导体的电流与这段导体两端的电压成正比B、流过导体的电流与这段导体的电阻成反比C、流过导体的电流与这段导体两端的电压成反比D、流过导体的电流与这段导体的电阻成正比

电阻中流过的电流值与电阻两端的电压值成(),与电阻值成()。A、正比;反比B、正比;正比C、反比;正比D、反比;反比

霍尔电压产生的条件是()。A、电流与磁场垂直B、电流与磁场平行C、电流与电压垂直

霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体基片,且电流方向与磁场方向垂直上,电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移,在()电流与磁场的半导体基片的横向侧面上,将产生一个()。A、平行;电流B、垂直;电压C、平行;电压D、垂直;电流

当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时,在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压,这个电压叫做霍尔电压。

独立电压源的电压与()。A、流过电压源的电流有关B、流过电压源的电流无关C、外接元件有关D、与参考点的选取有关

当温度不变时,流过导体的电流与这段导体两端的电压成(),与这段导体的电阻成()。A、正比;正比B、反比;正比C、反比;反比D、正比;反比

当互感现象存在时()A、一个线圈的电压不仅与流过本身电流有关,而且与相邻线圈中的电流有关B、一个线圈的电压只与流过本身的电流有关,而与相邻线圈中的电流无关C、一个线圈的电压与流过本身的电流和相邻线圈的电流都无关D、以上都不对

霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

霍尔式传感器的基本原理是:当电流流过放在磁场中的半导体晶片,且电流、磁场、晶片相互垂直时,在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个()。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流

一个理想独立电压源的基本特性是()。A、其两端电压与流过的电流无关;流过的电流可为任意值,由外电路即可确定B、其两端电压与流过的电流有关;流过的电流不为任何值,由电压源即可确定C、其两端电压与流过的电流无关;电流必定由电压源正极流出,可为任意值D、其两端电压与流过的电流有关;电流未必由电压源正极流出,可为任意值

填空题流过电路的电流:与电阻成(),与电压成正比。

单选题霍尔电压产生的条件是()。A电流与磁场垂直B电流与磁场平行C电流与电压垂直

单选题电阻中流过的电流值与电阻两端的电压值成(),与电阻值成()。A正比;反比B正比;正比C反比;正比D反比;反比