容易发生粉尘爆炸的工艺不包括()A、粉碎.研磨B、打磨.抛光C、气力输送D、铸造
容易发生粉尘爆炸的工艺不包括()
- A、粉碎.研磨
- B、打磨.抛光
- C、气力输送
- D、铸造
相关考题:
粉尘爆炸与气体爆炸相比,其爆炸特征有()A:粉尘爆炸点火能比气体爆炸点火能大B:粉尘爆炸容易发生二次甚至多次爆炸C:粉尘爆炸感应时间比气体爆炸长D:粉尘爆炸持续时间比气体爆炸短E:粉尘爆炸压力上升速率比气体爆炸快
单选题硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包D单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
不定项题针对B厂的粉尘爆炸危险陛,下列说法正确的是( )。A粉尘分散度越高,越容易发生爆炸B粉尘浓度越高,爆炸危险性越大C氧含量越高,爆炸强度越大D粉尘温度越高,爆炸危险性越大E粉尘湿度越高,爆炸危险性越大 br
多选题粉尘爆炸与气体爆炸相比,其爆炸特征有()。A粉尘爆炸点火能比气体爆炸点火能大B粉尘爆炸容易发生二次甚至多次爆炸C粉尘爆炸感应时间比气体爆炸长D粉尘爆炸持续时间比气体爆炸短E粉尘爆炸压力上升速率比气体爆炸快
单选题正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是()A单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包B单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包C单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包D单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
单选题挤压研磨抛光的特点是()。A适用范围小,但抛光效果好,研磨抛光效率高B适用范围广,抛光效果好,研磨抛光效率高C适用范围广,抛光效果一般,但研磨抛光效率高D适用范围广,抛光效果好,但研磨抛光效率低