采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()。A、0.06B、0.08C、0.1D、0.12

采用的非晶硅组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()。

  • A、0.06
  • B、0.08
  • C、0.1
  • D、0.12

相关考题:

商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池. A.晶体硅B.非晶硅C.单晶硅D.多晶硅

非晶硅平板A.直接转换B.间接转换C.光电转换D.电光转换E.闪烁晶体

全球各类主要太阳能电池中,转换效率最高的是( )。A.薄膜电池B.聚光电池C.晶体硅电池D.非晶硅电池

日本组件特殊管控要求:组件玻璃面、边框及缝隙处无硅胶残留,清洁干净,全黑组件颜色一致

采用晶体硅组件的示范项目补助标准为()元/瓦,采用非晶硅薄膜组件的为()元/瓦。A、9;7B、8;7C、8;6D、9;8

金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,非晶硅薄膜组件最高限价()元/峰瓦。A、4B、8C、9D、6

光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()。A、0.12B、0.14C、0.16D、0.18

非晶硅薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥7%B、≥13.5%C、≥15.5%D、≥17%

全球各类主要太阳能电池中,转换效率最高的是()。A、薄膜电池B、聚光电池C、晶体硅电池D、非晶硅电池

转换效率比较高的太阻电池材料是()。A、砷化镓B、非晶硅C、单晶硅D、陶瓷

金太阳和太阳能光电建筑应用示范项目中,非晶硅薄膜组件衰减率2年内不高于()。A、0.02B、0.03C、0.04D、0.05

面积为10cm2的硅太阳能电池在100mw/cm2光照下,开路电压为600mV,短路电流为400mA,填充因子为0.8,则此硅太阳能电池的最大光电转换效率为()A、19.2℅B、17.6℅C、15.6℅D、20.3℅

《金太阳示范工程关键设备基本要求(2012年)》中规定,晶体硅组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥12.5%B、≥13.5%C、≥14.5%D、≥15.5%

非晶硅薄膜组件效率不低于()。A、0.15B、0.1C、0.14D、0.06

产品化的非晶硅太阳能电池光电转换效率为()。A、5%∽8%B、8%∽11%C、11%∽13%D、13%∽15%

CIGS薄膜组件全光照面积的光电转换效率(含组件边框面积)应()。A、≥10%B、≥13%C、≥15.5%D、≥17%

光伏组件类型主要包括()。A、单晶组件B、多晶组件C、薄膜组件D、非晶硅组件

目前,商品太阳能电池组件主要包括()太阳能电池3种。A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、以上全不是

商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池.A、晶体硅B、非晶硅C、单晶硅D、多晶硅

按硅成分光伏组件()、()以及()等。通常情况其光电转换效率最高的是(),光电转换效率最低的是()

按照《关于组织实施2012年度太阳能光电建筑应用示范的通知》,光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()

单选题间接转换探测器的光电导材料一般是(  )。A硫氧化钆B碘化铯C光电二极管D非晶硅E非晶硒

填空题按照《关于组织实施2012年度太阳能光电建筑应用示范的通知》,光电建筑应用示范项目采用的晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率(以含组件边框面积计算转换效率)不得低于()

单选题关于非晶硅平板探测器及其工作原理的叙述,正确的是(  )。A将入射的X线光子转换为可见光的是光电二极管B将可见光转换成电信号的是模/数转换器C主要分为碘化铯+非晶硅、荧光体+非晶硅两类D非晶硅平板探测器属于直接转换型平板探测器E在闪烁晶体上形成储存电荷

单选题全球各类主要太阳能电池中,转换效率最高的是()。A薄膜电池B聚光电池C晶体硅电池D非晶硅电池

单选题商品太阳能电池组件中占主导地位的是()太阳能电池.A晶体硅B非晶硅C单晶硅D多晶硅

填空题按硅成分光伏组件()、()以及()等。通常情况其光电转换效率最高的是(),光电转换效率最低的是()