在霍尔效应实验中,实际测得的附加电场电压并非完全是霍尔电压,其中含包括其他因素带来的附加电压,例如下列选项中的四种电压。其中,由于载流子速度不同而使得向两极偏转后温升不同造成温差电压的是()A、不等位电势差B、厄廷好森效应C、能斯脱效应D、里纪-勒杜克效应

在霍尔效应实验中,实际测得的附加电场电压并非完全是霍尔电压,其中含包括其他因素带来的附加电压,例如下列选项中的四种电压。其中,由于载流子速度不同而使得向两极偏转后温升不同造成温差电压的是()

  • A、不等位电势差
  • B、厄廷好森效应
  • C、能斯脱效应
  • D、里纪-勒杜克效应

相关考题:

霍尔元件产生的霍尔电压为( )级。A.mvB.vC.kvD.μv

在讨论霍尔效应转换器时,甲说霍尔效应转换器产生一个模拟电压信号;乙说当转动的金属叶片进入霍尔效应转换器时,其信号电压从12V变为OV。试问谁正确?()A、甲正确B、乙正确C、两人均正确D、两人均不正确

霍尔式晶体管点火系,其点火信号发生器是采用()的原理制成的。A、霍尔电器B、霍尔元件C、霍尔电压D、霍尔效应

霍尔效应电路产生()信号。A、正弦波电压B、方波电压C、可变频率正弦波D、模拟电压

简述测量霍尔效应式传感器输出电压的方法。

全电子式电能表采用的原理有()。A、电压、电流采样计算B、霍尔效应C、热电偶D、电压、电流采样计算,霍尔效应和热电偶

霍尔效应中,在试样上施加的电场、磁场以及感应出的电压之间的方向关系是()。

用霍尔法测磁感应强度时,霍尔片上除了不等势电压外,还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应,这些副效应大多通过()方法,即改变()和()的方向加以消除。如果电流沿X轴方向,磁场沿Z轴方向,由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向,则此霍尔元件是由()(填N型或P型)半导体材料制造的。

在霍尔效应实验中,为了消除附加电压的影响,测量霍尔电压时采用的是()A、伏安法B、对称测量法C、多次测量取平均法D、单一变量法

在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关

霍尔元件产生的霍尔电压为()级。A、mVB、VC、kVD、μV

上海桑塔纳轿车使用的是()无触点电子点火系统。A、霍尔效应B、霍尔电压C、霍尔电流D、霍尔系数

霍尔效应或霍尔电压

霍尔效应传感器信号是频率调制信号,其波形是(),所以可用直流电压档检测平均电压,以判别霍尔传感器有无信号输出。A、方波B、正弦波C、递增信号波

霍尔式曲轴位置传感器是利用霍尔效应原理,产生与曲轴转角相对应的电压脉冲信号的。()

霍尔灵敏度表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。

霍尔电压大小与霍尔元件的尺寸有关。

霍尔电压

利用霍尔效应可制成多种凸轮轴位置传感器和转速传感器等等,下列说法中正确的是()。A、需要用恒压源输入,霍尔晶体才能产生电压信号B、当磁力线消失时,才能产生霍尔电压C、霍尔效应由绕在永磁铁上的线圈通电才能产生电压信号D、当有电流输入并有磁力线穿过晶片时,才能产生霍尔电压

霍尔效应的原理是:当电流I通过在磁场中的半导体基片(即霍尔元件),且电流方向与磁场方向垂直时,在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面,即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的()。A、电流B、电压C、电感D、电场

光学电压互感器的传感原理是()。A、阻容分压B、faraday效应C、pokels效应D、霍尔效应

问答题简述测量霍尔效应式传感器输出电压的方法。

单选题上海桑塔纳轿车使用的是()无触点电子点火系统。A霍尔效应B霍尔电压C霍尔电流D霍尔系数

判断题霍尔式曲轴位置传感器是利用霍尔效应原理,产生与曲轴转角相对应的电压脉冲信号的。()A对B错

单选题霍尔分电器由()集成电路组成。A霍尔触发器片和霍尔电流产生器B霍尔感应器片和霍尔电压产生器C霍尔电压器片和霍尔电压产生器D霍尔触发器片和霍尔电压产生器

名词解释题霍尔效应或霍尔电压

单选题霍尔效应电路产生()信号。A正弦波电压B方波电压C可变频率正弦波D模拟电压