估计某一电子受到屏蔽的总效应,一般要考虑下列哪一种情况下电子的排斥作用?()A、内层电子对外层电子B、外层电子对内层电子C、所有存在的电子对某电子D、同层和内层电子对某电子

估计某一电子受到屏蔽的总效应,一般要考虑下列哪一种情况下电子的排斥作用?()

  • A、内层电子对外层电子
  • B、外层电子对内层电子
  • C、所有存在的电子对某电子
  • D、同层和内层电子对某电子

相关考题:

下列关于电子等排体的说法正确的是A.包括经典的和非经典的电子等排体B.CH,NH,0为三价电子等排体C.经典的生物电子等排包括可交换基团和环与非环的替代D.CH=,N=互为二价电子等排体E.非经典电子等排必须遵循经典生物电子等排的立体和电子规则

关于影响屏蔽常数σ大小的因素,正确的说法是()A、被屏蔽电子的l值越小,σ值越大;B、屏蔽电子的n值越小,σ值越大;C、被屏蔽电子离核越远,σ值越大;D、屏蔽电子的数目越多,σ值越大;E、n=1的电子所受屏蔽σ=0

处于主量子数n上的电子受到的屏蔽作用最大的是来自于:()A、同一n层上的电子B、n+1层中的电子C、n-1层中的电子D、一样大

在同一层中的电子的屏蔽能力一般是角量子数越大屏蔽能力也越大。

原子核外的指定电子不受哪种电子的屏蔽作用?()A、内层电子B、外层电子C、同层电子D、均不受

在原子中外层电子也可以屏蔽内层电子。

在应用电子商务的情况下,物流受到哪些影响?

下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是()A、4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小B、当n和Z相同时,某电子的σ值愈大,该电子的能量就愈低C、主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大D、当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,σ值也愈大

下列关于光电效应的说法哪一种是正确的()A、光电效应是光子把部分能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程B、光电效应是光子把全部能量转移给原子核使电子变为光电子的过程C、光电效应是光子把全部能量转移给某个束缚电子使之变为光电子的过程D、靶物质原子序数低时发生光电效应的几率较高E、光电效应不需要原子核参与作用

在多电子原子中,计算屏蔽常数σ时,可以不考虑的是()。A、外层电子对内层电子的屏蔽作用B、(n-1)层电子对最外层(n层)电子的屏蔽作用C、(n-2)层电子对最外层(n层)电子的屏蔽作用D、同一层电子之间的屏蔽作用

发生以下哪一种效应时入射光子不会消失()A、光电效应B、康普顿效应C、电子对效应D、以上都是

使生物碱碱性减弱的因素有()A、吸电子诱导效应B、供电子诱导效应C、吸电子共轭效应D、供电子共轭效应E、立体效应

电子元器件在工作时,要受到电压、电流的影响,要消耗功率。()

在多电子原子中,存在着屏蔽效应,因此()A、原子核对电子的引力增加;B、原子核对电子的引力减小;C、电子间的相互作用减小;D、电子间的相互作用增大。

多电子原子中能量产生Ensnpnd,的现象是因为()A、钻穿效应B、屏蔽效应C、最低能量原理D、鲍林的能级图

估计一电子受屏蔽的总效应,一般要考虑下列哪种情况电子的排斥作用()A、内层电子对外层电子B、外层电子对内层电子C、所有存在的电子对某电子D、同层和内层电子对某电子

关于屏蔽常数σ,下列说法错误的是()A、屏蔽电子的数目越多,σ值越大B、被屏蔽电子离核越远,σ值越大C、某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小D、当n和z相同时,某电子的σ值越大,该电子的能量越低

对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

原子中某电子所受到的屏蔽效应可以认为是其它电子向核外排斥该电子的效应。

填空题对于具有π电子云的乙炔分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),对于乙烯分子,电子环流将产生()(去屏蔽/屏蔽),乙烯与乙炔,质子信号出现在低场的是()。

填空题当电子遭受到某一晶面族的强烈反射时, 电子平行于晶面族的平均速度()零, 电子波矢的末端处在()边界上.

单选题处于主量子数n上的电子受到的屏蔽作用最大的是来自于:()A同一n层上的电子Bn+1层中的电子Cn-1层中的电子D一样大

判断题多电子原子中,内层电子比次外层电子对最外层电子的屏蔽作用要大。A对B错

单选题电子加速器的能量大于()Mev会产生中子,在辐射屏蔽设计时,要考虑中子的影响。A10MevB2MevC6MevD8Mev

填空题内光电效应是指受到光照射的物质内部电子()状态产生变化,但不存在()发射电子的现象。

多选题使生物碱碱性减弱的因素有()A吸电子诱导效应B供电子诱导效应C吸电子共轭效应D供电子共轭效应E立体效应

单选题原子核外的指定电子不受哪种电子的屏蔽作用?()A内层电子B外层电子C同层电子D均不受