在城市内，为了提高频率复用率，减小越区干扰，改善D/U值（有用信号与无用信号电平之比），也可以选择上第一副瓣抑制，下第一零点填充的赋形技术天线，但是这种天线通常无固定电下倾角。
在城市内，为了提高频率复用率，减小越区干扰，改善D/U值（有用信号与无用信号电平之比），也可以选择上第一副瓣抑制，下第一零点填充的赋形技术天线，但是这种天线通常无固定电下倾角。
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在城市内,为了提高频率复用率,减小越区干扰,改善D／U值(有用信号与无用信号电平之比),也可以选择上第一副瓣抑制,下第一零点填充的赋形技术天线,但是这种天线通常无固定电下倾角。 A．错误B．正确
对于越区覆盖以下描述正确的是______。A、对于LTE而言越区覆盖不会对其邻区小区形成干扰B、越区覆盖可能形成“孤岛”，导致掉话C、越区覆盖可能导致UE发射功率受限，引起接入失败D、越区覆盖可能导致越区覆盖基础与周边基站负荷不均衡，周边基站资源利用率低
等级资料两样本比较的秩和检验使用正态近似法在计算u值时如相同秩次过多应计算校正Uc值校正的结果是()。 A、u值减小P值减小B、u值增加P值增加C、u值减小P值增加D、u值增加P值减小E、u值P值不变
在R-L-C串联电路中，已知u=50sin（πt+30°）伏，i=7sin（πt-15°）安，为了减小u与i之间的相位差，可采用的措施是（）。A、加大电阻R的数值B、提高u的幅值C、减小电感量LD、减小电容量CE、提高电源频率
上副瓣抑制是对于（）系统，为了提高频率复用效率，减少对邻区的同频干扰，基站天线波束赋形时应尽可能降低那些瞄准干扰区的副瓣，提高D/U值（有用和无用信号强度之比），上第一副瓣电平应小于-18dB，对于大区制基站天线无这一要求。
对于越区覆盖一下描述正确的是哪些？（）A、越区覆盖可能形成，孤岛，导致掉话B、越区覆盖可能导致UE发射功率受限，引起接入失败C、越区覆盖可能导致越区覆盖胡在干与周边基站负荷不均衡，周边基站资源利用率低D、对于LTE而言越区覆盖不会对其他小区形成干扰
判断题在城市内，为了提高频率复用率，减小越区干扰，改善D/U值（有用信号与无用信号电平之比），也可以选择上第一副瓣抑制，下第一零点填充的赋形技术天线，但是这种天线通常无固定电下倾角。A对B错
多选题对于越区覆盖以下描述正确的是（）。A越区覆盖可能导致越区覆盖基础与周边基站负荷不均衡，周边基站资源利用率低B对于LTE而言越区覆盖不会对其邻区小区形成干扰C越区覆盖可能导致UE发射功率受限，引起接入失败D越区覆盖可能形成“孤岛”，导致掉话
多选题对于越区覆盖一下描述正确的是哪些？（）A越区覆盖可能形成，孤岛，导致掉话B越区覆盖可能导致UE发射功率受限，引起接入失败C越区覆盖可能导致越区覆盖胡在干与周边基站负荷不均衡，周边基站资源利用率低D对于LTE而言越区覆盖不会对其他小区形成干扰