PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。A、大于B、小于C、等于D、无法确定
试比较PN结光电二极管、PIN光电二极管以及APD雪崩光电二极管的优缺点。
目前光纤通信常用的半导体光电检测器，如（）A、PN结光电二极管B、PIN光电二极管C、APD雪崩光电二极管D、电容
加在PN结两端的正向电压必须（）内电场电压，才能使PN结导通。A、大于B、等于C、小于等于D、小于
硅PN结的正向导通电压约为（）.A、小于0.1VB、0.2~0.3VC、0.6~0.7VD、大于1V
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
硅稳压管正常工作时，是工作在PN结的（）。A、正向导通区B、死区C、反向截止区D、反向击穿区
二极管最高工作频率，主要取决于PN结的（）的大小。A、材料B、最大整定电流C、结电容D、反向电流
由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
半导体色敏传感器又称为（）。A、双结光电二极管B、雪崩式光电二极管C、PIN型硅光电式二极管D、光电池
硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿。（）
构成CCD的基本单元是（）。A、P型硅B、PN结C、光敏二极管D、MOS电容器
构成CCD的基本单元是（）A、P型硅B、PN结C、光电二极管D、MOS电容器
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流。A、大于B、小于C、等于
描述二极管特性参数的指标，有（）等数项。A、最大正向电流B、最高正向电压C、最大反向电流D、最高工作频率E、PN结的电感
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
半导体二极管和可控硅分别有一个PN结和三个PN结。
填空题光电二极管的PN结工作在反偏状态，它的反向电流会随光照强度的增加而（）。
问答题影响光生伏特器件频率响应特性的主要因素有哪些？为什么PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于107Hz？怎样提高硅光电二极管的频率响应？
判断题PIN型光电二极管不仅提高了PN结光电二极管的时间响应，还能提高器件的光电灵敏度。A对B错
单选题PN结型硅光电二极管的最高工作频率小于等于（）A1GHzB100MHzC10MHzD1MHz