高速线材轧后的控制冷却过程中,一次冷却的目的是阻止奥氏体晶粒长大。() 此题为判断题(对,错)。
高速线材轧后的控制冷却过程中,一次冷却的目的是阻止奥氏体晶粒长大。()
此题为判断题(对,错)。
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10、Al、Si量少时,阻止奥氏体晶粒长大;反之,则促进长大。
此题为判断题(对,错)。