为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
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进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是______。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写入速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作A．B．C．D．
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是：（）。A.NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B.NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C.NOR Flash写入和擦除速度较慢D.数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
嵌入式存储器系统设计中，一般使用．三种存储器接口电路：NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路，以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中，也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性，其访问速度要大于Flash存储器
NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是() A.NOR的读速度比NAND稍慢一些B.NAND的写入速度比NOR慢很多C.NAND的擦除速度远比NOR的慢D.大多数写入操作需要先进行擦除操作
进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是（ ）。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
NANDFLASH和NORFLASH的区别正确的是（）A、NOR的读速度比NAND稍慢一些B、NAND的写入速度比NOR慢很多C、NAND的擦除速度远比NOR的慢D、大多数写入操作需要先进行擦除操作
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
设（BX）=0E3H，变量VALUE中存放内容为79H，指出下列指令单独执行后的结果。 （1）XOR BX，VALUE （2）AND BX，VALUE （3）OR BX， VALUE （4）XOR BX，0FFH （5）AND BX，BX （6）AND BX，0
问答题设（BX）=0E3H，变量VALUE中存放内容为79H，指出下列指令单独执行后的结果。 （1）XOR BX，VALUE （2）AND BX，VALUE （3）OR BX， VALUE （4）XOR BX，0FFH （5）AND BX，BX （6）AND BX，0
单选题NAND FLASH和NOR FLASH的区别正确的是。（）ANOR的读速度比NAND稍慢一些BNAND的写入速度比NOR慢很多CNAND的擦除速度远比NOR的慢D大多数写入操作需要先进行擦除操作
问答题预充电虽然在NOR ROM中工作得很好，但它应用到NAND ROM时却会出现某些严重的问题。请解释这是为什么？